[发明专利]发光装置、超辐射发光二极管及投影器

权利要求书

1.一种发光装置，其特征在于，包括：

活性层，和

夹持所述活性层的第1包覆层和第2包覆层；

所述活性层构成使光波进行传导的光波导通路，

所述光波导通路为，在被设置在所述活性层的第1侧面并使光反射的第1反射部，在所述光波导通路传导的光波的行进方向发生变化，所述光波导通路在俯视下具有コ的字型，即，具有角部的U字型形状，

从所述活性层和所述第1包覆层的层叠方向观察，所述第1反射部位于设置有所述第1包覆层和所述第2包覆层的区域的外侧。

2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，在所述第1反射部扩散有II族或XII族的元素。

3.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，所述光波导通路具有：

第1部分，连接被设置在所述活性层的第2侧面的第1射出部和所述第1反射部、且具有带状形状；

第2部分，连接所述第1反射部和被设置在所述活性层的第3侧面的第2反射部、且具有带状形状；和

第3部分，连接所述第2反射部和被设置在所述第2侧面的第2射出部、且具有带状形状。

4.根据权利要求3所述的发光装置，其特征在于，从所述活性层和所述第1包覆层的层叠方向观察，

所述第1部分和所述第2部分相对于所述第1侧面的垂线以第1角度倾斜地与所述第1反射部连接，

所述第2部分和所述第3部分相对于所述第3侧面的垂线以第2角度倾斜地与所述第2反射部连接，

所述第1角度和所述第2角度为临界角以上。

5.根据权利要求3所述的发光装置，其特征在于，从所述活性层和所述第1包覆层的层叠方向观察，

所述第1部分相对于所述第2侧面的垂线倾斜地与所述第1射出部连接，

所述第3部分相对于所述第2侧面的垂线倾斜地与所述第2射出部连接。

6.根据权利要求4所述的发光装置，其特征在于，从所述活性层和所述第1包覆层的层叠方向观察，

所述第1部分相对于所述第2侧面的垂线倾斜地与所述第1射出部连接，

所述第3部分相对于所述第2侧面的垂线倾斜地与所述第2射出部连接。

7.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，所述活性层由GaInP层和AlGaInP层构成，

所述第1包覆层和所述第2包覆层为AlInP层、或者镓组成与构成所述活性层的GaInP层或AlGaInP层相比小的AlGaInP层。

8.根据权利要求3所述的发光装置，其特征在于，所述活性层由GaInP层和AlGaInP层构成，

所述第1包覆层和所述第2包覆层为AlInP层、或者镓组成与构成所述活性层的GaInP层或AlGaInP层相比小的AlGaInP层。

9.根据权利要求4所述的发光装置，其特征在于，所述活性层由GaInP层和AlGaInP层构成，

所述第1包覆层和所述第2包覆层为AlInP层、或者镓组成与构成所述活性层的GaInP层或AlGaInP层相比小的AlGaInP层。

10.根据权利要求5所述的发光装置，其特征在于，所述活性层由GaInP层和AlGaInP层构成，

所述第1包覆层和所述第2包覆层为AlInP层、或者镓组成与构成所述活性层的GaInP层或AlGaInP层相比小的AlGaInP层。

11.根据权利要求6所述的发光装置，其特征在于，所述活性层由GaInP层和AlGaInP层构成，

所述第1包覆层和所述第2包覆层为AlInP层、或者镓组成与构成所述活性层的GaInP层或AlGaInP层相比小的AlGaInP层。

12.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，所述第1侧面是通过蚀刻而形成的蚀刻面。