[发明专利]一种提高电容触摸屏灵敏度的方法有效
| 申请号: | 201410022302.9 | 申请日: | 2014-01-17 |
| 公开(公告)号: | CN103777833B | 公开(公告)日: | 2017-01-04 |
| 发明(设计)人: | 季泳 | 申请(专利权)人: | 贵阳嘉瑜光电科技咨询中心 |
| 主分类号: | G06F3/044 | 分类号: | G06F3/044 |
| 代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司11002 | 代理人: | 谷庆红 |
| 地址: | 550004 贵州省贵*** | 国省代码: | 贵州;52 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 提高 电容 触摸屏 灵敏度 方法 | ||
1.一种提高电容触摸屏灵敏度的方法,所述电容触摸屏包括表面电容触摸屏和投射电容触摸屏,其特征在于:采用透明、高介电常数的材料作为所述电容触摸屏的面板材料,用于提高所述电容触摸屏操作敏感度和信号噪音比,其中,所述高介电常数的材料可采用单晶体材料、多晶体材料或非晶体材料,所述单晶体材料可通过改变晶向或添加掺杂剂来提高其介电常数。
2.根据权利要求1所述的提高电容触摸屏灵敏度的方法,其特征在于:所述单晶体材料为蓝宝石单晶体材料,所述蓝宝石单晶体材料的晶向可以为其C面、A面或M面。
3.根据权利要求2所述的提高电容触摸屏灵敏度的方法,其特征在于:所述蓝宝石单晶体材料为纯蓝宝石单晶体材料或为添加掺杂剂的单晶体材料,所述掺杂剂包括Ti、Mg、Mn、Fe、C中的一种或多种。
4.根据权利要求3述的提高电容触摸屏灵敏度的方法,其特征在于:所述单晶体材料、多晶体材料或非晶体材料的厚度范围为0.1-3mm。
5.根据权利要求4述的提高电容触摸屏灵敏度的方法,其特征在于:所述高介电常数的材料,其在小于1Mhz条件下介电常数范围为5-1000。
6.根据权利要求1述的提高电容触摸屏灵敏度的方法,其特征在于:所述电容触摸屏采用的触摸技术是In Cell触摸技术、On Cell触摸技术,OGS触摸技术或TOL触摸技术。
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