[发明专利]制造和测试芯片封装的方法

说明书

技术领域

本发明涉及电子器件，并且更具体地涉及集成电路半导体芯片的制造和测试技术。

背景技术

半导体器件制造商不断地力求提高其产品的性能，同时降低其制造成本。裸管芯产品允许小的外形因数和用于客户的高灵活性。然而，裸管芯的处理由于其对外部冲击的敏感性和涉及到的小的外形因数而比芯片封装的处理更加困难。特别地，裸管芯测试是困难的，并且某些类型的测试、诸如例如老化测试不适用于裸管芯。

附图说明

包括附图是为了提供对实施例的进一步理解，并且其被结合在本说明书中并构成其一部分。附图图示出实施例并连同描述一起用于解释实施例的原理。将很容易认识到其他实施例和实施例的许多预期优点，因为通过参考以下详细描述，其将被更好地理解。附图的元件不一定是彼此按比例的。相同的参考标号指定相应的类似部分。

图1示出了根据一个实施例的生产和测试芯片封装的过程流程；

图2示出了根据一个实施例的生产芯片封装的过程流程；

图3示出了根据一个实施例的用于将加强结构附着于半导体芯片的过程流程；

图4示出了根据一个实施例的生产和测试芯片封装的过程流程；

图5A是示意性地图示出根据一个实施例的芯片封装100的截面图；

图5B是示意性地图示出根据一个实施例的芯片封装200的截面图；

图6是插入老化测试插座中以便在封装级执行老化测试的示例性芯片封装的截面图；

图7是插入测试插座中以便在封装级执行功能测试的示例性芯片封装的截面图；

图8图示出示例性芯片封装的端子表面的布局的示例；

图9A图示出图8的示例性芯片封装的端子表面的布局的示例；

图9B图示出图9A的示例性芯片封装的端子表面的布局的细节；以及

图10图示出通过引线接合安装在应用板上的芯片封装的示例。

具体实施方式

现在参考附图来描述各方面和实施例，其中，一般地自始至终利用相同的参考标号来指代相似的元件。在以下详细描述中，出于说明的目的，阐述了许多特定细节以便提供对实施例的一个和多个方面的透彻理解。然而，对于本领域的技术人员而言可能显而易见的是，可以用较小程度的特定细节来实施实施例的一个或多个方面。在其他实例中，以示意性形式示出了已知结构和元件以便促进描述实施例的一个或多个方面。因此，不应以限制性意义来理解以下描述，并且由所附权利要求来定义范围。还应注意的是，图中的各种层、片材、芯片或基板的表示不一定是按比例的。

在以下描述中，对构成其一部分的附图进行参考，并且在附图中以例证的方式示出其中可以实践本发明的特定实施例。在这方面，参考正在描述的图的取向来使用方向术语，诸如，例如“上”、“下”、“顶部”、“底部”、“左侧”、“右侧”、“正面”、“背面”等。由于可以以许多不同的取向对实施例的部件进行定位，所以方向术语被用于例证的目的，并且绝不是限制性的。应理解的是，在不脱离本发明的范围的情况下，可以利用其他实施例，并且可以进行结构或逻辑上的改变。

应理解的是，可以将本文所述的各种示例性实施例的特征相互组合，除非具体地另外说明。

如在本说明书中所采用的，术语“耦合”和/或“电耦合”并不意图意指必须将元件直接耦合在一起；可在“被耦合”或“被电耦合”的元件之间提供中间元件。然而，术语“耦合”和/或“电耦合”的可能公开中的一种是在“被耦合”或“被电耦合”的元件之间没有中间元件的情况下的直接连接的公开。

本文所述的半导体芯片可以是不同类型的，可用不同的技术来制造，并且可包括例如集成电、电光或机电电路和/或无源装置。半导体芯片可包括集成电路，诸如，例如逻辑集成电路、控制电路、微处理器、存储器件等。半导体芯片不需要由诸如例如Si、SiC、SiGe、GaAs的特定的半导体材料制成，并且此外，可包含并非半导体的无机和/或有机材料，诸如例如绝缘体、塑料或金属。

该半导体芯片可具有芯片接触焊盘（或电极），其允许与被包括在半导体芯片中的集成电路进行电接触。该电极可包括被施加于半导体芯片的半导体材料的一个或多个电极金属层。该电极金属层可用任何期望的几何形状和任何期望的材料成分而被制造。所述电极金属层可例如采取覆盖一定面积的层的形式。可使用例如Cu、Ni、NiSn、Au、Ag、Pt、Pd的任何期望的金属以及这些金属中的一种或多种的合金作为材料。电极金属层不需要是同质的或仅由一种材料制成，也就是说，包含在电极金属层中的不同成分和浓度的材料是可能的。