[发明专利]非均匀介质目标电磁散射的体积分Nystrom分析方法有效
申请号: | 201410016829.0 | 申请日: | 2014-01-15 |
公开(公告)号: | CN104778293B | 公开(公告)日: | 2018-06-12 |
发明(设计)人: | 陈如山;丁大志;樊振宏;陶诗飞 | 申请(专利权)人: | 南京理工大学 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 |
代理公司: | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人: | 朱显国 |
地址: | 210094 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 非均匀介质 散射 高阶 拉格朗日插值多项式 非均匀特性 四面体单元 表示形式 模拟物体 剖分单元 分析 插值点 传统的 基函数 体电流 展开式 高斯 内存 四面 体内 消耗 保证 | ||
1.一种非均匀介质目标电磁散射的体积分Nystrom分析方法,其特征在于步骤如下:
第一步,令均匀平面波照射到一个非均匀介质散射体上,散射体上的总电场等于入射场与散射场之和,入射电场为已知激励,散射电场用待求的电流密度来表示,得出电场积分方程;
第二步,对介电参数满足任意函数分布目标进行高阶曲四面体单元剖分;当散射体被曲四面体单元离散后,散射体内的电流表示如下,
其中,J(r)是散射体内的电流,Je(r)代表第e个单元内的电流,E是总的四面体单元数目,四面体内的电流用拉格朗日插值算子表示如下,
ri是插值点,Ie是第e个单元上的插值点数目,L(i,e)是拉格朗日插值算子;
第三步,高阶矢量基函数的形成;在(u,v,w)空间中,n阶多项式表示为,
空间的维数由下式决定,
当多项式和四面体内插值点被确定后,计算出拉格朗日插值算子L(i,e);
第四步,点测试形成待求解的矩阵方程;将电流展开形式带入电场积分方程,运用点测试,得到矩阵方程;
第五步,求解矩阵方程,得到电流系数,再根据互易定理由电流系数计算电磁散射参量。
2.根据权利要求1所述的非均匀介质目标电磁散射的体积分Nystrom分析方法,其特征在于所述步骤一中:
电场积分方程的形式如下,
其中,J是待求的体电流密度,Einc是已知的入射电场,积分内核是三维自由空间并矢格林函数,表示形式如下
(6)式中的G(r,r)=e-jkR/(4πR)是自由空间三维标量格林函数,k0是自由空间的波数.R=|r-r′|是观察点r和源点r′之间的距离,是单位并矢。
3.根据权利要求1所述的非均匀介质目标电磁散射的体积分Nystrom分析方法,其特征在于,所述步骤二中离散后的电流在局部空间(u,v,w)中具有如下的表示形式:
其中,u,v和w是(u,v,w)空间中三个方向的单位矢量,θl是雅克比因子,具有如下的表示形式,
θ=u·(w×v) (9) 。
4.根据权利要求1所述的非均匀介质目标电磁散射的体积分Nystrom分析方法,其特征在于所述步骤三中:
n取不同的值时,多项式的形式不同;
当n=0时,这种基函数就是经典的脉冲基函数;
当n=1时,多项式的形式为:
当n=2时,多项式形式为:{1,u,v,w,u2,uv,uw,v2,vw,w2,uvw};
当n=3时,多项式形式为:
{1,u,v,w,u2,uv,uw,v2,vw,w2,u3,v3,w3,u2v,u2w,uv2,uw2,v2w,vw2,uvw,u4,v4,w4,uv2w}。 (10)
5.根据权利要求1所述的非均匀介质目标电磁散射的体积分Nystrom分析方法,其特征在于拉格朗日插值算子的具体计算方式如下:
多项式和四面体内插值点被确定后,求解下面的矩阵,得到局部空间(u,v,w)中的拉格朗日插值算子Li(u,v,w),
其中,(ui,vi,wi)是插值点,m是一个四面体内所有插值点的个数。
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