[发明专利]一种VDMOS器件及其制造方法有效
申请号: | 201410014444.0 | 申请日: | 2014-01-13 |
公开(公告)号: | CN104779288B | 公开(公告)日: | 2019-05-31 |
发明(设计)人: | 马万里 | 申请(专利权)人: | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 黄灿;宋林清 |
地址: | 100871 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 vdmos 器件 及其 制造 方法 | ||
本发明公开了一种VDMOS器件及其制造方法,所述VDMOS器件包括外延层和形成在外延层上的栅极氧化层和场氧化层,所述场氧化层表面形成有多晶硅层,还包括源区接触孔和栅极接触孔,所述栅极接触孔的开口与所述场氧化层相对设置,所述栅极接触孔在外延层上的投影位于场氧化层覆盖范围内。本发明通过优化VDMOS的栅极接触孔的开孔位置,将其移到场氧化层处,这样在刻蚀栅极接触孔时,对多晶层的刻蚀,就不会对其下方的栅氧化层造成损伤,从而提高栅源之间的击穿电压。
技术领域
本发明属于半导体芯片制造工艺技术领域,特别是涉及一种VDMOS器件及其制造方法。
背景技术
VDMOS(垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管器件)兼有双极晶体管和普通MOS器件的优点。对于VDMOS器件,栅电极的引出,常规做法是,在栅极多晶硅的部分区域,开出接触孔,连接金属层。
由于在制作接触孔时,源区的接触孔有时需要刻蚀出硅孔,个别情况下,硅孔内要注入P型杂质,来提高器件的抗雪崩击穿能力。此时,栅极区域的多晶硅层也会被刻蚀掉一些,以注入P型杂质。为了节省工艺,源区接触孔和栅极接触孔通过同一刻蚀工艺形成,所以才会出现深度一致,导致栅极接触孔刻蚀掉多晶硅。
此时,栅极接触孔对应位置的多晶硅下面的栅氧化层就会受到离子损伤,当栅源之间加压时,此处的栅氧化层很容易击穿,造成栅源之间的漏电。
发明内容
为了解决现有的VDMOS器件在栅源之间加压时,容易造成栅氧化层击穿,造成栅源之间的漏电,本发明提供了一种VDMOS器件及其制造方法。
本发明采用的技术方案是:一种VDMOS器件,包括外延层和形成在外延层上的栅极氧化层和场氧化层,所述场氧化层表面形成有多晶硅层,还包括源区接触孔和栅极接触孔,所述栅极接触孔的开口与所述场氧化层相对设置,所述栅极接触孔在外延层上的投影位于场氧化层覆盖范围内。
本发明还提供了一种VDMOS器件的制造方法,包括:
形成一外延层,并在所述外延层上形成栅极氧化层和场氧化层,以及在所述场氧化层表面形成有多晶硅层;
形成源区接触孔和栅极接触孔,所述栅极接触孔的开口与所述场氧化层相对设置,所述栅极接触孔在外延层上的投影位于场氧化层覆盖范围内。
本发明通过优化VDMOS的栅极接触孔的开孔位置,将其移到场氧化层处,这样在刻蚀栅极接触孔时,对多晶层的刻蚀,就不会对其下方的栅氧化层造成损伤,从而提高栅源之间的击穿电压。
附图说明
图1为本发明一种实施例的VDMOS器件的制造方法的流程图;
图2-11为本发明制造VDMOS器件的各个状态示意图。
具体实施方式
为使本发明要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。后面的描述中,为了方便说明,放大或者缩小了不同层和区域的尺寸,所以图示大小并不完全代表实际尺寸,也不反映尺寸的比例关系。
如图1所示,为本发明一种实施例的VDMOS器件的制造方法的流程图,包括:
步骤S101:形成一外延层,并在所述外延层上形成栅极氧化层和场氧化层,以及在所述场氧化层表面形成有多晶硅层;
步骤S102:形成源区接触孔和栅极接触孔,所述栅极接触孔的开口与所述场氧化层相对设置,所述栅极接触孔在外延层上的投影位于场氧化层覆盖范围内。
本发明通过优化VDMOS的栅极接触孔的开孔位置,将其移到场氧化层处,这样在刻蚀栅极接触孔时,对多晶层的刻蚀,就不会对其下方的栅氧化层造成损伤,从而提高栅源之间的击穿电压。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司,未经北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410014444.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:隧穿场效应晶体管及其制作方法
- 下一篇:一种FinFET器件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类