[发明专利]一种VDMOS器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410014444.0 | 申请日： | 2014-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN104779288B | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 马万里 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 黄灿;宋林清 |
| 地址： | 100871 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 vdmos 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种VDMOS器件，包括外延层和形成在外延层上的栅极氧化层和场氧化层，所述场氧化层表面形成有多晶硅层，其特征在于，还包括源区接触孔和栅极接触孔，所述栅极接触孔的开口与所述场氧化层相对设置，所述栅极接触孔在外延层上的投影位于场氧化层覆盖范围内；所述源区接触孔和所述栅极接触孔为硅孔，所述源区接触孔和所述栅极接触孔内注入P型离子；所述栅极氧化层表面形成有介质层，所述栅极接触孔贯穿所述介质层并伸入到多晶硅层中，所述源区接触孔形成在源区，并贯穿所述介质层和栅极氧化层后伸入到外延层中。
2.根据权利要求1所述的VDMOS器件，其特征在于，所述源区接触孔和栅极接触孔通过同一刻蚀工艺形成。
3.根据权利要求1-2任何一项所述的VDMOS器件，其特征在于，所述外延层在位于场氧化层的两侧形成有分压环。
4.根据权利要求1-2任何一项所述的VDMOS器件，其特征在于，所述外延层形成在衬底的一侧，所述衬底的另一侧形成有金属层。
5.根据权利要求1-2任何一项所述的VDMOS器件，其特征在于，所述外延层中还形成有沟槽图案，所述沟槽的侧壁形成有栅极氧化层。
6.一种VDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括：
形成一外延层，并在所述外延层上形成栅极氧化层和场氧化层，以及在所述场氧化层表面形成有多晶硅层；
形成源区接触孔和栅极接触孔，所述栅极接触孔的开口与所述场氧化层相对设置，所述栅极接触孔在外延层上的投影位于场氧化层覆盖范围内；
所述源区接触孔和所述栅极接触孔为硅孔，所述源区接触孔和所述栅极接触孔内注入P型离子；
所述栅极氧化层表面形成有介质层，所述栅极接触孔贯穿所述介质层并伸入到多晶硅层中，所述源区接触孔形成在源区，并贯穿所述介质层和栅极氧化层后伸入到外延层中。
7.根据权利要求6所述的VDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述源区接触孔和栅极接触孔通过同一刻蚀工艺形成。
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