[发明专利]一种磷酸银及M-O(M=Cu+,Fe3+,Zn2+)窄禁带半导体纳米粒子的制备方法

权利要求书

1.一种磷酸银及M-O(M=Cu⁺，Fe³⁺，Zn²⁺)窄禁带半导体纳米粒子的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、以银、铜、铁或锌片为阴极和阳极，Na₂HPO₄-NaH₂PO₄缓冲溶液或稀氢氧化钠溶液为电解液，0.01M氯化钾为支持电解质，电极间距为1cm，电解电压为2～12v，进行电解反应，由电解时间来控制参与反应的金属总量，电解产生的金属阳离子与电解液中PO₄^3-或OH^-阴离子结合，生成磷酸银及M-O(M=Cu²⁺，Fe³⁺，Zn²⁺)金属氧化物半导体纳米粒子；

由电解直接生成的铜半导体氧化物为CuO，进一步需要在适宜的条件下用葡萄糖还原，从而得最终产物Cu₂O；其余金属半导体氧化物(Fe₂O₃和ZnO)可直接由电解制备。

S2、反应结束后将生成物用水进行多次洗涤，离心分离，得到的产物即为磷酸银及M-O(M=Cu⁺，Fe³⁺，Zn²⁺)系列窄禁带半导体纳米粒子。

2.根据权利要求1所述的磷酸银及M-O(M=Cu⁺，Fe³⁺，Zn²⁺)窄禁带半导体纳米粒子的制备方法，其特征在于：Na₂HPO₄-NaH₂PO₄缓冲溶液的配制是将4.304g Na₂HPO₄和1.040g NaH₂PO₄固体溶解于1000mL蒸馏水，pH值为7.3。

3.根据权利要求1所述的磷酸银及M-O(M=Cu⁺，Fe³⁺，Zn²⁺)窄禁带半导体纳米粒子的制备方法，其特征在于：所述电极片的几何尺寸为：1cm×1cm×1mm。

4.根据权利要求1所述的磷酸银及M-O(M=Cu⁺，Fe³⁺，Zn²⁺)窄禁带半导体纳米粒子的制备方法，其特征在于：银、铜、铁或锌片为含量≥99％的金属片。

5.根据权利要求1所述的磷酸银及M-O(M=Cu⁺，Fe³⁺，Zn²⁺)窄禁带半导体纳米粒子的制备方法，其特征在于：步骤S1中，稀氢氧化钠溶液浓度为0.001M～0.005M。