[发明专利]基底支撑装置和使用该基底支撑装置的热处理装置有效
申请号: | 201410011529.3 | 申请日: | 2014-01-10 |
公开(公告)号: | CN103928382B | 公开(公告)日: | 2017-01-18 |
发明(设计)人: | 李铸炯 | 申请(专利权)人: | 杰宜斯科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人: | 聂慧荃,黄艳 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基底 支撑 装置 使用 热处理 | ||
1.一种基底支撑装置,包括:
本体构件,多个加热对象被彼此分离地叠置在所述本体构件上;以及
多个支撑构件,沿所述本体构件内的每个加热对象的表面设置并支撑每个加热对象的表面。
2.根据权利要求1所述的基底支撑装置,其中所述支撑构件包括:
多个框架,以在所述本体构件内与每个加热对象的表面相对应地彼此分离的方式被设置;以及
多个支撑间隔件,从彼此分离的每个框架伸出并支撑每个加热对象。
3.根据权利要求2所述的基底支撑装置,其中每个所述支撑间隔件包括:
支撑托架,联接到所述框架;以及
支撑销,从所述支撑托架伸出并支撑每个加热对象。
4.根据权利要求2所述的基底支撑装置,其中每个所述支撑构件还包括旋转轴,所述旋转轴被设置成用于所述框架,所述支撑间隔件被可旋转地联接到所述旋转轴。
5.根据权利要求4所述的基底支撑装置,其中每个所述支撑构件还包括弹性地支撑所述框架和所述支撑间隔件的弹性构件。
6.根据权利要求1所述的基底支撑装置,还包括连接所述本体构件和所述支撑构件的扩张段,以允许所述支撑构件沿纵长方向移动。
7.一种热处理装置,包括:
根据权利要求1至6中任一项所述的基底支撑装置;和
多个加热器,在所述本体构件内与所述支撑构件平行地设置并加热所述多个加热对象。
8.根据权利要求7所述的热处理装置,其中每个所述加热器包括:
加热单元,被划分成加热区和冗余区,所述冗余区被形成为从所述加热区的相对两端延伸,并且所述加热单元从所述加热区发出热量;
补偿单元,被划分成连接区和补偿区,所述补偿区被形成为从所述连接区的相对两端延伸,并且所述补偿单元从所述补偿区发出热量;以及
固定单元,所述加热单元和所述补偿单元都被固定到所述固定单元。
9.根据权利要求8所述的热处理装置,其中所述加热区和所述补偿区中的每一者均包括反射热量的反射部。
10.根据权利要求7所述的热处理装置,还包括室,所述室容置所述加热器、所述本体构件和所述支撑构件,而且所述室包括热处理加热对象的空间。
11.根据权利要求10所述的热处理装置,还包括高温电缆,所述高温电缆被保持在所述室中并被电连接至所述加热器,以禁止或防止发出的热量与向加热器供给的电力发生干扰。
12.根据权利要求10所述的热处理装置,其中所述室包括:
壳体,所述壳体中形成热处理加热对象的空间;以及
打开/关闭门,可拆卸地联接到所述壳体,使得所述空间被打开/关闭。
13.根据权利要求10所述的热处理装置,还包括将用于热处理加热对象的处理气体注入到所述室中的供气单元。
14.根据权利要求13所述的热处理装置,其中所述供气单元包括:
供气段,供应处理气体;
多个排出段,在所述室的内部相互分离并将处理气体排到所述室中;以及
分配段,连接所述供气段和所述排出段,并将处理气体分配到所述多个排出段。
15.根据权利要求14所述的热处理装置,其中所述供气单元还包括多个排放段,所述排放段被布置成面对所述排出段并排出供应到所述室中的处理气体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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