[发明专利]低压差线性稳压器

权利要求书

1.一种低压差线性稳压器，包括误差放大器、调整管、取样电路及一米勒电容，其特征在于：该低压差线性稳压器还包括一共栅放大器，该共栅放大器设置于该米勒电容与该调整管栅极之间，该米勒电容接于该共栅放大器源极与该调整管漏极，该共栅放大器将米勒电容的采样缓冲后反馈至该误差放大器输出端，实现将该米勒电容与该调整管栅极隔离。

2.如权利要求1所述的一种低压差线性稳压器，其特征在于：该共栅放大器包括第三NMOS管及第一电流源，该第三NMOS管与该第一电流源串联接于该调整管栅极与地之间，该第三NMOS管源极接第一电流源，栅极接参考电压，漏极接该误差放大器的输出端，该米勒电容接在该调整管漏极和该第三NMOS管源极间。

3.如权利要求2所述的一种低压差线性稳压器，其特征在于：该误差放大器包括第一NMOS管和第二NMOS管组成的差分对及第一PMOS管和第二PMOS管组成的镜像电流源，该差分对源极接偏置电流源，该第一PMOS管和第二PMOS管组成镜像电流源作为差分对的有源负载，该第二NMOS管栅极接参考电压，该第一NMOS管栅极接输出电压的采样，采样电压经该误差放大器放大后从第二NMOS管漏极输出，该误差放大输出传送至该调整管的栅极，该第二NMOS管漏极还与该第三NMOS管漏极相连，该调整管漏极输出稳压电压，经该取样电路的电阻分压采样后送至该第一NMOS管栅极。

4.如权利要求3所述的一种低压差线性稳压器，其特征在于：该低压差线性稳压器还包括第二共栅补偿电流支路，该第二共栅补偿电流支路包括第四NMOS管和第二电流源，该第四NMOS管源极接该第二电流源，栅极接参考电压，漏极接该第一NMOS管漏极。

5.如权利要求4所述的一种低压差线性稳压器，其特征在于：该共栅放大器及该第二共栅补偿电流支路均复用该第一PMOS管与该第二PMOS管组成的镜像电流源。

6.如权利要求5所述的一种低压差线性稳压器，其特征在于：该第一电流源与第二电流源相等。

7.如权利要求1所述的一种低压差线性稳压器，其特征在于：该共栅放大器采用对该误差放大器的差分对分离长度的方式实现共栅补偿。

8.如权利要求7所述的一种低压差线性稳压器，其特征在于：该误差放大器的差分对的两个NMOS管分裂为两个串联的NMOS管，将第一NMOS管分裂为NMOS管mn11和mn10串联，将第二NMOS管分裂为NMOS管mn21和mn20串联，该NMOS管mn11、mn10栅极接该取样电路的电压输出，NMOS管mn11漏极接该误差放大器的第一PMOS管漏极，源极接NMOS管mn10漏极，NMOS管mn10源极接电流源负载，NMOS管mn21、mn20栅极接参考电压，NMOS管mn21漏极接该误差放大器的第二PMOS管漏极，NMOS管mn21源极接NMOS管mn20漏极，NMOS管mn20源极接电流源负载，该米勒电容连接于该调整管漏极和该NMOS管mn21源极及该NMOS管mn20漏极构成的节点间。