[发明专利]双层NTC热敏电阻及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201410009931.8 申请日: 2014-01-09
公开(公告)号: CN104124014A 公开(公告)日: 2014-10-29
发明(设计)人: 赵春花;赵兵;高翔;单晓林;王为;佟宇 申请(专利权)人: 华东理工大学
主分类号: H01C7/04 分类号: H01C7/04;C04B35/38;C04B35/50;C04B35/622
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 200237 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 双层 ntc 热敏电阻 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及负温度系数热敏电阻技术领域,具体涉及一种双层负温度系数热敏电阻及其制备方法。

背景技术

负温度系数(NTC)热敏电阻是指电阻值随温度上升而下降的电阻。NTC热敏电阻由于具有敏感性高、价格便宜等优点而广泛应用在测温、控温、以及抑制浪涌电流等方面。随着我国家电和汽车生产量的日益增大,家电和汽车用NTC温度传感器市场需求旺盛。

NTC热敏材料主要参数包括:(1)ρ25,指在25°C下的电阻率;(2)材料常数B,是描述热敏电阻物理特性的一个参数,B值越大,灵敏度越高。随着应用领域的不同,需要不同的ρ和B值组合。比如在抑制浪涌电流及低温下使用的NTC热敏电阻,要求具有低电阻率高B值;在高温下使用的热敏电阻要求具有高电阻率高B值。传统的NTC材料一般由Mn、Ni、Co、Fe、Cu等元素构成的尖晶石型氧化物组成,比如Cu-Ni-Mn-O,Fe-Ni-Mn-O,Zn-Ni-Mn-O等体系。尖晶石型NTC热敏材料的电阻率ρ与温度T的关系符合Arrehenius方程:ρ=ρ0exp(B/T),这类材料的B值通常随着电阻率的升高而升高,随着电阻率的下降而下降。很难获得高B值、低电阻率的NTC材料。以往的研究主要从材料体系的组成上加以改进,比如在尖晶石材料中掺入Cu,可大幅度降低电阻率,但同时会造成B值和稳定性的下降。据中国专利CN102285789披露,采用一种含Pb的四元体系得到的尺寸为?10mm×1mm的高B、低阻电阻器的参数为B25/50=3485-4106K,R25°C=70-630Ω,根据计算可知,ρ25的最小值仍达到500Ω·cm以上,况且采用的原料中含有对人体有害元素Pb,不符合环保要求。到目前为止,没有报道能有效地降低阻值而保证较高的B值和稳定性。

因此获得低阻值、高B值、高稳定性的NTC材料变的尤其重要。

发明内容本发明目的在于克服上述技术缺陷,提供一种具有低阻值、高B值、高稳定性的双层NTC热敏材料及其制备方法。

本发明的目的可以通过以下技术方案来实现:一种双层NTC热敏电阻,其特征在于:该热敏电阻包含两层,层A由尖晶石氧化物或者尖晶石和钙钛矿氧化物的混合物构成,层B由钙钛矿氧化物或者钙钛矿和尖晶石氧化物的混合物构成;双层NTC热敏电阻在25°C的电阻率范围为10-104Ω·cm,B值范围为3630-5520K;层A中尖晶石氧化物所占的质量百分含量≥80%,层B中钙钛矿氧化物所占的质量百分含量≥50%;尖晶石氧化物的分子式为AxMn3-xO4,其中A是Zn、Ni、Co、Fe中的一种或多种,0.3≤x≤1.8;钙钛矿氧化物的分子式是LaSryBO3,其中B是Fe、Co、Ni、Mn中的一种或几种,0≤y≤0.5。

本发明的双层NTC热敏电阻的制备方法,其特征在于,该方法包含以下几个步骤:

(1)   在层A或者层B的粉体中加入有机溶剂、分散剂、粘结剂、增塑剂球磨混合,得到层A或者层B的浆料;

(2)   将浆料真空除泡,在流延机上依次流延层A和层B;

(3)   将双层流延膜干燥后,烧结得到双层NTC热敏陶瓷;

(4)   在双层NTC热敏陶瓷表面涂敷电极浆料,并烧渗电极;

(5)   将步骤(4)得到的材料根据需要切割成一定的尺寸,并焊上引线,进行电性能的测量。

步骤(1)中所述的有机溶剂、分散剂、粘结剂、增塑剂分别为乙醇、三乙醇胺、聚乙烯醇缩丁醛、聚乙烯醇。

步骤(1)中,相对于粉体,各添加剂的含量为:有机溶剂80-200wt %,分散剂3-6wt%,粘结剂4-10wt %,增塑剂为10-24wt%。

步骤(1)中浆料的配制过程分为两步,首先在粉料中加入有机溶剂、分散剂球磨混合1-3h;然后加入粘结剂和增塑剂,球磨1-3h。

步骤(3)中烧结条件为1150-1300°C,烧结1-20h。

步骤(4)所用的电极材料为Ag、Au、Pt、Pd;电极的烧渗温度为500-900°C。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华东理工大学,未经华东理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410009931.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top