[发明专利]增强NAND型FLASH可靠性的方法

说明书

本发明涉及闪存技术领域，尤其涉及一种增强NAND型FLASH可靠性的方法，包括：预先获取NAND型FLASH每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数；预先根据存储阵列每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数，建立衰退模型，并保存衰退模型至存储阵列中；在使用过程中，进行读取、擦除或编程时，根据预先保存的衰退模型调整相应的读取、擦除或编程方式；根据调整后的读取、擦除或编程方式对所述NAND型FLASH进行读取、擦除或编程。本发明技术方案在读取、擦除或编程时利用衰退模型对存储单元的阈值电压进行补偿，增强了NAND型FLASH的可靠性。

技术领域

本发明涉及闪存（Flash Memory）技术领域，尤其涉及一种增强NAND型FLASH可靠性的方法。

背景技术

可靠性是产品在规定条件下和规定时间内完成规定功能的能力。对于闪存（FlashMemory），简称FLASH，一般而言，数据保持能力、耐久力、抗干扰能力等是评价闪存可靠性的重要参数，其中，数据保持力指的是闪存存储的数据经过一段时间之后没有失真或丢失，仍可以有效读出的能力。

NAND型FLASH是闪存的一种。对于NAND型FLASH在实际使用的过程中，因各种串扰和随机效应的影响，例如工艺波动，浮栅的交叉耦合效应，电荷转移的随机性等原因，使得NAND型FLASH存储单元（cell）的阈值电压产生随机的改变。因NAND型FLASH在读取、擦除或编程时都是以阈值电压为基础的，因此当阈值电压产生改变后，进而会使得擦除与编程的性能越来越差，同时数据的保持特性也受到很大影响，进而极大的降低了NAND型FLASH的可靠性。并且，随着NAND型FLASH工艺尺寸的进一步缩小，尤其是2xnm及1xnm及以下的MLC（2-bit信息/每存储单元）和TLC（3-bit信息/每存储单元），影响也越来越明显。

发明内容

本发明的目的在于提出一种增强NAND型FLASH可靠性的方法，以增强NAND型FLASH的可靠性。

本发明实施例提供了一种增强NAND型FLASH可靠性的方法，包括：

预先获取NAND型FLASH存储阵列每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数；

预先根据所述存储阵列每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数，建立衰退模型，并保存衰退模型至存储阵列中；

在使用过程中，进行读取、擦除或编程时，根据预先保存的所述衰退模型调整相应的读取、擦除或编程方式；

根据调整后的读取、擦除或编程方式对所述NAND型FLASH进行读取、擦除或编程。

进一步的，所述的增强NAND型FLASH可靠性的方法，所述预先根据所述存储阵列每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数，建立衰退模型,并保持衰退模型至存储阵列中；包括：

预先根据存储阵列每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数，获取所述存储阵列每次读取、擦除或编程时各页的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数；

根据所述存储阵列每次读取、擦除或编程时各页的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数，建立衰退模型，并保存衰退模型至存储阵列中。

进一步的，所述的增强NAND型FLASH可靠性的方法，所述获取所述存储阵列每次读取、擦除或编程时各页的阈值电压，包括：

获取每次读取、擦除或编程时各页中各存储单元的阈值电压；

根据各页中各存储单元的阈值电压，获取每次读取、擦除或编程时各页中各存储单元的平均阈值电压；

将所述各页中各存储单元的平均阈值电压作为各页的阈值电压。