[发明专利]增强NAND型FLASH可靠性的方法

权利要求书

1.一种增强NAND型FLASH可靠性的方法，其特征在于，包括：

预先通过测试过程获取NAND型FLASH存储阵列每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数；

预先根据所述存储阵列每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数，建立衰退模型，并保存衰退模型至存储阵列中；

在使用过程中，进行读取、擦除或编程时，根据预先保存的衰退模型调整相应的读取、擦除或编程方式；

根据调整后的读取、擦除或编程方式对所述NAND型FLASH进行读取、擦除或编程。

2.如权利要求1所述的增强NAND型FLASH可靠性的方法，其特征在于，预先根据所述存储阵列每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数，建立衰退模型，并保存衰退模型至存储阵列中；包括：

预先根据存储阵列每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数，获取所述存储阵列每次读取、擦除或编程时各页的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数；

根据所述存储阵列每次读取、擦除或编程时各页的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数，建立衰退模型，并保存衰退模型至存储阵列中。

3.如权利要求2所述的增强NAND型FLASH可靠性的方法，其特征在于，所述获取所述存储阵列每次读取、擦除或编程时各页的阈值电压，包括：

获取每次读取、擦除或编程时各页中各存储单元的阈值电压；

根据各页中各存储单元的阈值电压，获取每次读取、擦除或编程时各页中各存储单元的平均阈值电压；

将所述各页中各存储单元的平均阈值电压作为各页的阈值电压。

4.如权利要求2所述的NAND型FLASH可靠性的方法，其特征在于，所述根据所述存储阵列每次读取、擦除或编程时各页的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数，建立衰退模型，并保存衰退模型至存储阵列中；包括：

根据存储阵列每次读取、擦除或编程时各页的阈值电压，获取每次读取、擦除或编程时的所述各页的阈值电压与理想状态下相应页的阈值电压的差值；

建立每次读取、擦除或编程时的所述各页的阈值电压与理想状态下相应页的阈值电压的差值和每次读取、擦除或编程次数的第一映射关系；

将所述第一映射关系存入衰退模型，建立衰退模型，并保存衰退模型至存储阵列中。

5.如权利要求2所述的NAND型FLASH可靠性的方法，其特征在于，所述根据所述存储阵列每次读取、擦除或编程时各页的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数建立衰退模型，并保存衰退模型至存储阵列中；包括：

建立每次读取、擦除或编程时各页的阈值电压与每次读取、擦除或编程次数的第二映射关系；

将所述第二映射关系存入衰退模型，建立衰退模型，并保存衰退模型至存储阵列中。

6.如权利要求1所述的NAND型FLASH可靠性的方法，其特征在于，所述根据所述存储阵列每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数，建立衰退模型，并保存衰退模型至存储阵列中，包括：

将存储阵列的读取、擦除或编程次数划分成至少一个范围；

获取各范围内次数的平均阈值电压；

将所述各范围内次数的平均阈值电压作为各范围中各次数所对应的阈值电压；

根据各范围中的次数及所述各范围中次数所对应的阈值电压，建立衰退模型，并保存衰退模型至存储阵列中。

7.如权利要求1所述一种增强NAND型FLASH可靠性的方法，其特征在于，所述在使用过程中，进行读取、擦除或编程时，根据预先保存的衰退模型调整相应的读取、擦除或编程方式；包括：

在使用过程中，进行读取、擦除或编程时，根据预先保存的衰退模型调整存储阵列所施加的参考电压。