[发明专利]半导体制造装置

说明书

相关申请

本申请以日本专利申请2013-186100号(申请日:2013年9月9日)为基础申请，享受优先权。本申请通过参照该基础申请，包含该基础申请的全部内容。

技术领域

本发明涉及制造半导体装置的半导体制造装置。

背景技术

半导体封装进一步小型化、薄型化。因而，在封装内可能层叠多个半导体芯片(以下，称为芯片)。层叠的各芯片间往往通过接合线电气连接，但是近年来，开发了层叠的各芯片间通过贯通通孔连接的技术。

但是，为了通过贯通通孔连接各芯片间，必须在芯片的两主面(表面及背面)具备凸起。但是，若在芯片的两主面设置凸起，则拾取机的吸附面与凸起形成干涉。因而，吸附时在芯片产生弯曲应力。另外，芯片层叠时，向芯片施加负荷的同时将凸起彼此连接，但是此时负荷集中到凸起。其结果，在芯片产生损坏，芯片和/或芯片间的连接可靠性降低。

发明内容

本发明的实施方式提供可抑制在半导体芯片产生弯曲应力的半导体制造装置。

实施方式的半导体制造装置具备：夹具(collet)，其吸附在主面形成有凸起的半导体芯片；和驱动机构，其驱动夹具，使吸附的半导体芯片在安装基板或者其他半导体芯片上载置。夹具在半导体芯片的吸附面设有用于避免与凸起抵接的凹部。

附图说明

图1(a)～(b)是实施方式的半导体制造装置的构成图。

图2(a)～(b)是实施方式的半导体制造装置具备的夹具的构成图。

图3是实施方式的夹具吸附了芯片的截面图。

图4是比较例的夹具吸附了芯片的截面图。

图5是半导体芯片的俯视图。

图6是实施方式的夹具吸附芯片时的变形量的示图。

图7是比较例的夹具吸附芯片时的变形量的示图。

标号说明：

100…半导体制造装置，110，110A…夹具，110R…背面，110a…孔，111…沟，112…凹部，112a…弹性体，113…加热器，120…驱动机构，B…凸起，C…芯片，M…安装基板。

具体实施方式

以下，参照图1到图7说明半导体装置的制造方法及半导体造装置的实施方式。另外，各实施方式中，基本相同的构成部位附上相同的符号，说明省略。但是，图面是示意图，厚度和平面尺寸的关系、各层的厚度的比率等不同于现实。说明中表示上下等的方向的用语指示以后述的半导体基板的电路形成面侧为上时的相对方向，可能不同于以重力加速度方向为基准的现实的方向。

(实施方式)

图1是实施方式的半导体制造装置100的构成图。半导体制造装置100是将半导体芯片(以下，称为芯片)与安装基板和/或其他芯片进行倒装芯片连接的倒装芯片接合机。

半导体制造装置100至少具备：真空吸附芯片C的夹具110；驱动夹具110，使在夹具110真空吸附的芯片C在安装基板M或者其他芯片C上载置的驱动机构120。半导体制造装置100通过真空吸附拾取芯片C(参照图1(a))，将该拾取的芯片C在安装基板M或者其他芯片C上安装(参照图1(b))。

芯片C的两主面(表面及背面)设有连接用的凸起B。另外，两主面的凸起B通过没有图示的贯通通孔电连接。该实施方式中，通过将在两主面设置的凸起B彼此连接，使芯片C层叠并电连接。另外，如图1(b)所示，层叠的芯片C中，对于以安装基板M的相反侧为上时的最上级层叠的芯片C，可以省略顶面侧的凸起B。

图2是夹具110的构成图。图2(a)是夹具110的俯视图(背面侧)，图2(b)是图2(a)的线段X-X中的夹具110的截面图。如图2(a)所示，夹具110的背面110R配合芯片C的形状，在俯视图中形成矩形状。夹具110的背面110R成为芯片C的吸附面，设有用于真空吸附芯片C的沟111。

如图2(b)所示，在夹具110内部，设有与在背面110R设置的沟111连通的孔110a。该孔110a与没有图示的真空泵连接。通过对孔110a抽真空，可以在夹具110的背面110R真空吸附芯片C。

而且，在夹具110的背面110R，设有用于与芯片C的凸起B抵接的凹部112。图2(a)中，凹部112设置在背面110R的周围及中央，但是设置凹部112的位置任意，可以根据设置在芯片C的凸起B的位置适宜变更。