[发明专利]半导体制造装置在审
申请号: | 201410006086.9 | 申请日: | 2014-01-07 |
公开(公告)号: | CN104425312A | 公开(公告)日: | 2015-03-18 |
发明(设计)人: | 深山真哉;尾山幸史;筑山慧至;福田昌利 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 刘瑞东;陈海红 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 制造 装置 | ||
1.一种半导体制造装置,其特征在于,具备:
夹具,其吸附在主面形成有凸起的半导体芯片;和
驱动机构,其驱动上述夹具,使吸附的上述半导体芯片在安装基板或者其他半导体芯片上载置,
上述夹具在上述半导体芯片的吸附面设有凹部,
在上述凹部内设有厚度为10μm以上且50μm以下的弹性体。
2.一种半导体制造装置,其特征在于,具备:
夹具,其真空吸附在主面设有凸起的半导体芯片;和
驱动机构,其驱动上述夹具,使真空吸附的上述半导体芯片在安装基板或者其他半导体芯片上载置,
上述夹具在上述半导体芯片的吸附面设有避免与上述凸起抵接的凹部。
3.根据权利要求2所述的半导体制造装置,其特征在于,
在上述凹部内设有弹性体。
4.根据权利要求3所述的半导体制造装置,其特征在于,
上述弹性体的厚度为10μm以上且50μm以下。
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