[发明专利]具有改善粘附性能和填充性能的钨层沉积方法

权利要求书

1.一种沉积钨(W)层的方法，包括：

对衬底进行预处理，以在衬底的表面上沉积SiH₄源W膜；以及

在经预处理的表面上沉积B₂H₆源W层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在衬底的表面上形成数个原子层的SiH₄源W膜。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，SiH₄源W膜的沉积与B₂H₆源W层的沉积通过单一的原子层沉积(ALD)工艺进行。

4.根据权利要求3所述的方法，所述单一的ALD工艺包括：反应源气体浸没操作、反应源气体引入操作、主沉积操作。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，形成SiH₄源W膜包括：

在反应源气体浸没操作中，向反应腔中引入SiH₄；以及

在反应源气体引入操作中，向反应腔中引入SiH₄和WF₆。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，在反应源气体引入操作中，向反应腔中交替引入SiH₄和WF₆数个周期。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，周期数为2-10。

8.根据权利要求4所述的方法，其中，沉积B₂H₆源W层包括：

在主沉积操作中，向反应腔中交替引入B₂H₆和WF₆若干周期。

9.根据权利要求8所述的方法，其中周期数取决于要沉积的W层的厚度。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底包括经后栅工艺处理后形成的栅槽，所述W膜和W层填充到该栅槽中以用作栅电极。