[发明专利]平面异质器件

权利要求书

1.一种装置，所述装置包括：

第二层，所述第二层直接位于第一层上方；以及

位于所述第一层下方的第三层；

其中，(a)所述第二层包括通过电介质与所述第一层分隔开的第一部分，以及外延形成于所述第一层上的第二部分；(b)所述第一部分并不被外延形成于所述第一层上；(c)所述第一部分和所述第二部分彼此晶格失配；并且(d)与所述第一层和所述第二层平行的水平轴穿过所述第一部分和所述第二部分，并且

其中，(a)所述第二层包括并非直接位于所述电介质上方的第三部分；(b)所述第三部分外延形成于所述第三层上。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一部分和所述第二部分分别包括第一材料和第二材料，所述第一材料和所述第二材料每个都选自于包括IV族材料、III-V族材料、和II-VI族材料的组。

3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述第一部分和所述第二部分两者都直接位于所述第一层上方，并且所述第一层包括所述第二材料。

4.根据权利要求2所述的装置，其中：

所述第一部分和所述第二部分两者都直接位于所述第一层上方；

所述第一层包括选自于包括IV族材料、III-V族材料、以及II-VI族材料的组的不同于所述第二材料的另外的材料；并且

所述第二材料与所述另外的材料晶格失配。

5.根据权利要求2所述的装置，其中，所述第一部分和所述第二部分分别包括第一器件和第二器件，所述第一器件和所述第二器件每个都选自于包括N沟道器件和P沟道器件的组，其中，所述第一器件具有与所述第二器件相反的极性。

6.根据权利要求5所述的装置，其中，所述第一器件和所述第二器件每个都包括所述水平轴所穿过的沟道。

7.根据权利要求2所述的装置，其中，所述电介质包括氧化物，所述第一部分直接接触所述电介质，所述第一层包括选自于包括IV族材料、III-V族材料、和II-VI族材料的组的不同于所述第二材料的另外的材料；并且所述第二部分直接接触所述第一层。

8.根据权利要求2所述的装置，其中，所述第一部分包括被转移到所述装置并且未生长在所述装置上的层。

9.根据权利要求1所述的装置，其中，绝缘体部分直接接触所述第一部分和所述第二部分两者，并且所述水平轴穿过所述第一部分和所述第二部分。

10.根据权利要求1所述的装置，不包括直接接触所述第一部分和所述第二部分中任何一个的缓冲体。

11.根据权利要求1所述的装置，包括：

另外的电介质，所述另外的电介质位于所述第三层与所述第一层之间；

其中，(c)所述第一部分、所述第二部分、以及所述第三部分彼此晶格失配；并且(d)所述水平轴穿过所述第三部分。

12.根据权利要求1所述的装置，其中，(c)所述第三部分与所述第一部分和所述第二部分至少其中之一晶格失配；并且(d)所述水平轴穿过所述第三部分。

13.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一部分的第一侧壁高低不平地呈锯齿状。