[发明专利]太阳能电池的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种太阳能电池的制造方法，特别是涉及在硅基板上形成 的钝化膜的成膜方法。

背景技术

在晶体硅太阳能电池的领域，以减少硅使用量以及提高硅基板的转换 效率为目的，硅基板的薄型化日益发展。然而，随着硅基板的薄型化的发 展，转换效率显著降低。这是由于，例如，具有导电性的硅基板表面上大 量存在的缺陷成为主要因素，通过光照射产生的少数载流子(p型的情况 下是电子)的寿命(lifetime)减少。换句话说，减少该少数载流子的消失 可以提高太阳能电池的转换效率。

为了抑制载流子的寿命减少，一般地，在该硅基板背面形成钝化膜。 在各种钝化膜中，作为该钝化膜，关注对p型硅基板具有较高的钝化效果 (抑制寿命减少的功能)的氧化铝膜。

已知，氧化铝膜在膜中具有负的固定电荷，通过因该固定电化产生的 电场效应从而产生钝化效果。换句话说，通过在p型硅表面形成具有负的 固定电荷的氧化铝膜，从而抑制了作为少数载流子的电子向基板表面的扩 散，其结果是能够防止载流子的消失。

另外，作为在p型硅基板形成作为钝化膜的氧化铝膜的方法，采用 CVD法(例如，专利文献1)。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012-33538号公报

发明内容

发明所要解决的课题

然而，在基于CVD法的氧化铝膜的成膜中，需要使用称为TMA (Tri-Methyl-Aluminium：三甲基铝)的、难以处理且成本高的原料。另 外，在CVD法中，需要进行成膜区域的真空处理，这成为成膜成本上升 的主要原因。另外，在基于等离子体CVD法的氧化铝膜的成膜中，也存 在硅基板因等离子体而受到损伤的问题。

另外，作为在硅基板形成氧化铝膜的方法，也可以考虑采用ALD法。 然而，在该ALD法中，需要TMA且也需要进行真空处理，因此存在制造 成本提高的问题。并且，在ALD法中，成膜速度非常慢，导致生产效率 的降低。为了提高成膜速度，能够想到应用利用了等离子体的ALD法。 然而，在使用了该等离子体的ALD法中，也存在硅基板受到损伤的问题。

因此，本发明的目的在于，提供一种能够以低制造成本，在不对硅基 板造成损伤的情况下，以高生产效率形成作为钝化膜的氧化铝膜的太阳能 电池的制造方法。

用于解决课题的方案

为了实现上述的目的，本发明的太阳能电池的制造方法包括：(A) 准备具有p型的导电型的硅基板的工序；(B)在所述硅基板的主面形成 钝化膜的工序；以及(C)利用形成有所述钝化膜的所述硅基板来制作太 阳能电池的工序，所述工序(B)包括：(B-1)将含有铝元素的溶液雾化 的工序；以及(B-2)通过在大气中向所述硅基板的所述主面雾状喷出所 述雾化后的所述溶液，从而形成氧化铝膜即所述钝化膜的工序。

发明效果

本发明的太阳能电池的制造方法包括：(A)准备具有p型的导电型 的硅基板的工序；(B)在所述硅基板的主面形成钝化膜的工序；以及(C) 利用形成有所述钝化膜的所述硅基板来制作太阳能电池的工序，所述工序 (B)包括：(B-1)将含有铝元素的溶液雾化的工序；以及(B-2)通过 在大气中向所述硅基板的所述主面雾状喷出所述雾化后的所述溶液，从而 形成氧化铝膜即所述钝化膜的工序。

因此，能够通过廉价且容易处理的材料，在p型硅基板上形成由氧化 铝膜构成的背面钝化膜。并且，不需要真空处理等，从而还能够实现制造 成本的降低。并且，在成膜处理中，也不会对p型硅基板造成损伤。并且， 还能够实现生产效率的提高。

通过以下的详细说明与附图进一步明确本发明的目的、特征、方式、 以及优点。

附图说明

图1是表示太阳能电池的结构的剖视图。

图2是表示用于实现实施方式1的成膜方法的成膜装置的结构的图。

图3是表示用于实现实施方式2的成膜方法的成膜装置的结构的图。

具体实施方式

图1是表示太阳能电池的基本结构的剖视图。