[发明专利]电阻式存储器的低功率写和读操作的装置

权利要求书

1.一种存储器装置，所述装置包括：

电阻式存储器单元，其耦合于位线和选择线；

第一通路门，其耦合于所述位线；

第二通路门，其耦合于所述选择线；和

复用器，其可由输入数据操作，所述复用器用于根据所述输入数据的逻辑电平向所述第一和第二通路门提供控制信号。

2.如权利要求1所述的装置，其中所述复用器用于接收不同脉宽的至少两个输入。

3.如权利要求2所述的装置，其进一步包括用于调整所述至少两个输入的脉宽的逻辑。

4.如权利要求2所述的装置，其中所述至少两个输入是第一和第二写使能脉冲，所述第一写使能脉冲用于控制将逻辑高写入所述电阻式存储器的持续时间，并且所述第二写使能脉冲用于控制将逻辑低写入所述电阻式存储器的持续时间。

5.如权利要求1所述的装置，其中所述电阻式存储器是以下中的至少一个：

STT-MRAM；

ReRAM；或

CBRAM。

6.如权利要求1所述的装置，其进一步包括：

第一写驱动器，用于驱动输入数据到所述第一通路门；和

第二写驱动器，用于驱动所述输入数据的反相到所述第二通路门。

7.如权利要求1所述的装置，其中所述电阻式存储器是STT-MRAM位单元，其包括：

可由字线控制的选择晶体管；和

与所述选择晶体管串联耦合的磁隧道结（MTJ）设备。

8.一种系统，其包括：

处理器；

无线接口，用于允许所述处理器与另一个设备通信；

存储器，其耦合于所述处理器，所述存储器根据装置权利要求1至7中的任一个；以及

显示单元，用于显示由所述处理器处理的内容。

9.如权利要求8所述的系统，其中所述显示单元是触摸屏。

10.一种存储器装置，所述装置包括：

电阻式存储器单元，其耦合于位线和选择线；

第一通路门，其耦合于所述位线；

第二通路门，其耦合于所述选择线；

第一写驱动器，用于驱动输入数据到所述第一通路门，所述第一写驱动器具有第一驱动倾斜；和

第二写驱动器，用于驱动所述输入数据的反相到所述第二通路门，所述第二写驱动器具有第二驱动倾斜，其中所述第一驱动倾斜与所述第二驱动倾斜不同。

11.如权利要求10所述的装置，其进一步包括用于调整所述第一和第二写驱动器的第一和第二驱动倾斜的逻辑。

12.如权利要求11所述的装置，其中所述逻辑用于根据所述输入数据动态调整所述第一和第二写驱动器的第一和第二驱动倾斜。

13.如权利要求10所述的装置，其进一步包括：

可由所述输入数据操作的复用器，所述复用器用于根据所述输入数据的逻辑电平向所述第一和第二通路门提供控制信号。

14.如权利要求13所述的装置，其中所述复用器用于接收不同脉宽的至少两个输入。

15.如权利要求14所述的装置，其进一步包括用于调整所述至少两个输入的脉宽的逻辑。

16.如权利要求14所述的装置，其中所述至少两个输入是第一和第二写使能脉冲，所述第一写使能脉冲用于控制将逻辑高写入所述电阻式存储器的持续时间，所述第二写使能脉冲用于控制将逻辑低写入所述电阻式存储器的持续时间。

17.如权利要求10所述的装置，其中所述电阻式存储器是以下中的至少一个：

STT-MRAM；

ReRAM；

PCM；或

CBRAM。

18.如权利要求10所述的装置，其中所述电阻式存储器是STT-MRAM位单元，其包括：

可由字线控制的选择晶体管；和

与所述选择晶体管串联耦合的磁隧道结（MTJ）设备。