[发明专利]压印有图案以形成隔离器件区域的基板在审
申请号: | 201380076367.5 | 申请日: | 2013-03-29 |
公开(公告)号: | CN105393334A | 公开(公告)日: | 2016-03-09 |
发明(设计)人: | J·A·布鲁格;L·赵;C·A·陶西格 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 黄嵩泉 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 压印 图案 形成 隔离 器件 区域 | ||
1.一种用于制造电子器件的方法,包括:
用图案压印基板的未图案化区域,以便形成具有处于第一级的多个凹陷区域和处于第二级的多个隆起区域的图案化基板;
将第一导电材料层沉积在所述多个凹陷区域和所述多个隆起区域上并沉积有多个中断,以便形成多个底部电极;以及
将具有第二导电材料层的有源堆叠层沉积在所述多个底部电极上,以便在通过所述多个隆起区域彼此隔离的所述多个凹陷区域上形成多个器件。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法进一步包括:将所述多个器件粘合到另一基板上。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述粘合所述多个器件的步骤包括使用导电粘合剂将所述多个器件层压到另一基板上。
4.根据权利要求1到3中任一项所述的方法,其特征在于,所述沉积所述第一导电材料层的步骤包括相对于所述图案化基板的主要表面以一角度沉积所述第一导电材料层。
5.根据权利要求1到3中任一项所述的方法,其特征在于,所述沉积所述第一导电材料层的步骤包括将所述第一导电材料层沉积在所述图案化基板上,并且蚀刻所述第一导电材料层的至少一部分以形成所述多个中断。
6.根据权利要求1到3中任一项所述的方法,其特征在于,所述方法进一步包括:在沉积所述第一导电材料层之前,在所述多个凹陷区域与所述多个隆起区域之间蚀刻多个底切。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述图案化基板包括第一介电材料层以及位于所述第一介电材料层上的第二介电材料层,所述第一介电材料层具有比所述第二介电材料层的蚀刻速率快的蚀刻速率。
8.根据权利要求1到3中任一项所述的方法,其特征在于,所述基板被设置在多个导线上,并且其中所述多个隆起区域包括相对于所述多个导线垂直地延伸的多个介电材料线。
9.根据权利要求1到3中任一项所述的方法,其特征在于,所述压印步骤包括辊对辊压印所述基板,以便形成所述图案化基板。
10.一种装置,包括:
图案化基板,所述图案化基板具有处于第一级的多个凹陷区域以及处于第二级的多个隆起区域;
第一导电材料层,所述第一导电材料层位于所述多个凹陷区域和所述多个隆起区域上并具有多个中断,从而形成多个底部电极;以及
有源堆叠的多个区域,每个区域包括由第二导电材料层形成的顶部电极,所述多个区域在所述多个底部电极上并通过所述多个隆起区域彼此隔离。
11.根据权利要求10所述的装置,其特征在于,所述多个底部电极和所述有源堆叠的多个隔离区域形成多个垂直双端器件。
12.根据权利要求11所述的装置,其特征在于,所述装置进一步包括:电子背板,所述电子背板被粘合至所述多个垂直双端器件。
13.根据权利要求10到12中任一项所述的装置,其特征在于,所述图案化基板被设置在多个导线上,并且其中所述多个隆起区域包括相对于所述多个导线垂直地延伸的多个介电材料线。
14.根据权利要求10到12中任一项所述的装置,其特征在于,所述基板包括第一介电材料层和位于所述第一介电材料层上的第二介电材料层,以及在所述第一层中的多个底切。
15.根据权利要求10到12中任一项所述的装置,其特征在于,所述图案化基板包括选自聚酯、聚酰亚胺、聚丙烯酸、聚碳酸酯、硅酮及它们的组合的聚合物,或选自玻璃、石英、蓝宝石、塑料及它们的组合的材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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