[发明专利]成膜方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种在基板上形成膜的成膜方法。

背景技术

已知通过使气相中产生的活性物质在基板表面上进行吸附、扩散以及化学反应等，从而在基板上形成薄膜的技术。作为在基板上形成薄膜的方法，采用喷雾化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition)法等。在该喷雾化学气相沉积法中，在大气中，向基板雾状喷射雾化了的溶液，从而在该基板上形成薄膜。需要说明的是，作为说明喷雾化学气相沉积法的文献，例如有专利文献1。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010-197723号公报

发明内容

发明所要解决的课题

然而，在前述的吸附、扩散以及化学反应等不充分的情况下，会在膜中产生空穴，而使杂质混入膜中，其结果是，所形成的膜的致密性降低。另外，在上述喷雾化学气相沉积法中也同样，膜密度的降低的问题严重。特别是，在喷雾化学气相沉积法中，成膜处理所需的大部分反应能量依赖于从加热状态的基板获取的热能。因此，通过CVD法，在将基板加热至200℃以下的同时实施成膜处理时，会显著发生上述的膜密度的降低。

因此，本发明的目的在于提供一种能够实现膜密度的提高的成膜方法。

用于解决课题的方案

为了实现上述的目的，本发明的成膜方法包括：(A)通过向基板雾状喷射雾化了的溶液，从而在所述基板上形成膜的工序；(B)中断所述工序(A)的工序；以及(C)在所述工序(B)后，向所述基板照射等离子的工序。

发明效果

本发明的成膜方法包括：(A)通过向基板雾状喷射雾化了的溶液，从而在所述基板上形成膜的工序；(B)中断所述工序(A)的工序；以及(C)在所述工序(B)后，向所述基板照射等离子的工序。

因此，结果是，在基板上形成膜密度提高了的规定膜厚的膜。另外，通过照射等离子，促进了活性物质的稳定化，从而能够进一步提高膜的致密性(高密度化)。

通过以下的详细说明与附图进一步明确本发明的目的、特征、状况以及优点。

附图说明

图1是用于说明实施方式的成膜方法的剖视图。

图2是用于说明实施方式的成膜方法的剖视图。

图3是用于说明实施方式的成膜方法的剖视图。

图4是说明本发明的成膜方法的效果的说明图。

图5是说明本发明的成膜方法的效果的说明图。

具体实施方式

本发明能够应用于通过在大气中实施喷雾化学气相沉积法从而在基板上形成膜的成膜方法。以下，根据表示本发明的实施方式的附图具体说明本发明。

<实施方式>

图1-3是用于说明本实施方式的成膜方法的剖视图。由图1-3可知，实施本发明的成膜装置具有喷雾喷嘴1与等离子照射喷嘴2。以下，利用附图详细说明本实施方式的成膜方法。

在图1-3中省略图示的基板载置部上配置实施成膜处理的基板10。这里，在该基板载置部上配设有加热器，基板10被加热至200℃左右。而且，如图1所示，使该基板10位于喷雾喷嘴1的下方。

从喷雾喷嘴1雾状喷出利用超声波振子等而被雾化(液滴的大小被微小化成几微米左右)的溶液。这里，在该溶液中含有在基板10上形成的膜的原材料。在图1所示的状态下，在大气压下，从喷雾喷嘴1将雾化了的溶液整流而向基板10雾状喷射(成膜处理)。

需要说明的是，在进行雾化了的溶液的雾状喷射处理时，沿水平方向驱动基板载置部，从而使基板10沿水平方向移动。像这样，一边使基板10沿水平方向移动一边实施雾状喷射处理，从而向基板10的上表面整个表面雾状喷射雾化了的溶液。由此，通过该雾化溶液的雾状喷射处理，在基板10的上表面整个表面上形成膜厚较薄的薄膜15。

接下来，中断溶液的雾状喷射处理(成膜中断处理)。

例如，如图2所示，通过沿水平方向驱动基板载置部，使基板10从雾状喷射溶液的雾状喷射区域向不实施溶液的雾状喷射的非雾状喷射区域移动，能够实现溶液向基板10的雾状喷射处理的中断。这里，如图2所示，在非雾状喷射区域配置有等离子照射喷嘴2，在该非雾状喷射区域内，使基板10位于等离子照射喷嘴2的下方。

通过对等离子生成气体施加电压而生成等离子，等离子照射喷嘴2能够向基板10照射所生成的等离子(等离子照射喷嘴2是所谓的等离子枪)。在图2所示的状态下，利用等离子照射喷嘴2，在大气压下，向形成有薄膜15的基板10照射等离子(等离子照射处理)。