[发明专利]经由氧化的多氧阴离子盐沉积在无机基底上形成氧化物壳

权利要求书

1.一种用于使氧化物涂层沉积到无机基底上的方法，包括：

提供含有四-C₁-C₈-烷基铵多氧阴离子和过氧化氢的水性溶液，其中所述四-C₁-C₈-烷基铵多氧阴离子包含化学计量比为3:1的四-C₁-C₈-烷基铵和多氧阴离子；

使所述水性溶液与无机基底接触足够的时间以使源自多氧阴离子的氢氧化物通过异相成核沉积到无机基底的表面上，形成初始涂覆的无机基底；以及

使所述初始涂覆的无机基底加热足够的时间以将所述氢氧化物转化为氧化物，从而在所述无机基底上形成源自所述多氧阴离子的氧化物涂层，

其中所述四-C₁-C₈-烷基铵多氧阴离子包括具有通式A_xO_y^z-的多氧阴离子，其中，A表示过渡金属，或选自Al、Si、B、Ga、Ge、As、In、Sn、Sb和Pb的金属或准金属，或其任意两种或更多种的组合，O是氧原子，并且x、y和z值取决于A在所述多氧阴离子中的价态并且y>x；且

过氧化氢以基于水性溶液的总含量为0.02重量％至1重量％的浓度存在。

2.根据权利要求1所述的方法，其中由四甲基氢氧化铵制备所述四-C₁-C₈-烷基铵多氧阴离子。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述过渡金属包括V、Zn、Mn和Fe的一种或多种。

4.根据任一前述权利要求所述的方法，其中所述无机基底包括陶瓷氧化物。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述陶瓷氧化物包含Li⁺离子并且适于在锂离子电池的陶瓷阴极材料中使用。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述无机基底包括半导体材料。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述四-C₁-C₈-烷基铵多氧阴离子是四甲基铝酸铵且所述无机基底为陶瓷材料。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述陶瓷材料是锂离子电池阴极材料。

9.一种用于使氧化铝涂层沉积到无机基底上的方法，包括：

提供含有四-C₁-C₈-烷基铝酸铵和过氧化氢的水性溶液，其中所述四-C₁-C₈-烷基铝酸铵包含化学计量比为3:1的四-C₁-C₈-烷基铵和铝酸盐；

使所述水性溶液与无机基底接触足够的时间以使氢氧化铝通过异相成核沉积到无机基底的表面上，形成初始涂覆的无机基底；以及

使所述初始涂覆的无机基底加热足够的时间以将所述氢氧化铝转化为氧化铝。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述无机基底是陶瓷材料。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述陶瓷材料是锂离子电池阴极材料。

12.根据权利要求9至11中任一项所述的方法，其中所述四-C₁-C₈-烷基铝酸铵为四甲基铝酸铵。

13.根据权利要求1或9所述的方法，其中所述加热是在450℃至1000℃的范围内的温度下或在500℃的温度下进行。

14.根据权利要求1或9所述的方法，其中所述水性溶液进一步包含锂离子。