[发明专利]用于制备石墨烯纳米带的聚合物前体和用于制备它们的合适低聚亚苯基单体

权利要求书

1.通式I的低聚亚苯基单体：

其中：

R¹为H、卤素、-OH、-NH₂、-CN、-NO₂，或者线性或支化、饱和或不饱和C₁-C₄₀烃残基，其可被卤素(F、Cl、Br、I)、-OH、-NH₂、-CN和/或-NO₂取代1-5倍，且其中一个或多个CH₂-基团可被-O-、-S-、-C(O)O-、-O-C(O)-、-C(O)-、-NH-或–NR³-替代，其中R³为任选取代的C₁-C₄₀烃残基，或者任选取代的芳基、烷基芳基、烷氧基芳基、烷酰基或芳酰基残基；

R^2a和R^2b为H，或者任选一对或多对相邻R^2a/R^2b连接形成六元碳环中的单键；

m为0-3的整数；

n为0或1；且

X为卤素或三氟甲基磺酸盐，且Y为H；或者X为H，且Y为卤素或三氟甲基磺酸盐。

2.根据权利要求1的低聚亚苯基单体，其中n为0。

3.根据权利要求1或2的低聚亚苯基单体，其中m为0或1。

4.根据权利要求1-3中任一项的低聚亚苯基单体，其中X为卤素或三氟甲基磺酸盐，且Y为H。

5.根据权利要求1-4中任一项的低聚亚苯基单体，其中R^2a和R^2b为H。

6.根据权利要求1-4中任一项的低聚亚苯基单体，其中相邻R^2a/R^2b对中每一对连接形成六元碳环中的单键。

7.根据权利要求1-4中任一项的低聚亚苯基单体，其具有通式Ia、Ib、Ic或Id：

其中：

R¹为H、卤素、-OH、-NH₂、-CN、-NO₂，或者线性或支化、饱和或不饱和C₁-C₄₀烃残基，其可被卤素(F、Cl、Br、I)、-OH、-NH₂、-CN和/或-NO₂取代1-5倍，且其中一个或多个CH₂-基团可被-O-、-S-、-C(O)O-、-O-C(O)-、-C(O)-、-NH-或–NR³-替代，其中R³为任选取代的C₁-C₄₀烃残基，或者任选取代的芳基、烷基芳基、烷氧基芳基、烷酰基或芳酰基残基；且

X为卤素或三氟甲基磺酸盐。

8.根据权利要求1-3中任一项的低聚亚苯基单体，其中X为H，且Y为卤素或三氟甲基磺酸盐。

9.根据权利要求1-3中任一项的低聚亚苯基单体，其具有通式Ie、If、Ig或Ih：

其中：

R¹为H、卤素、-OH、-NH₂、-CN、-NO₂，或者线性或支化、饱和或不饱和C₁-C₄₀烃残基，其可被卤素(F、Cl、Br、I)、-OH、-NH₂、-CN和/或-NO₂取代1-5倍，且其中一个或多个CH₂-基团可被-O-、-S-、-C(O)O-、-O-C(O)-、-C(O)-、-NH-或–NR³-替代，其中R³为任选取代的C₁-C₄₀烃残基，或者任选取代的芳基、烷基芳基、烷氧基芳基、烷酰基或芳酰基残基；且

Y为卤素或三氟甲基磺酸盐。

10.可由如权利要求1-9中所定义的低聚亚苯基单体得到的用于制备石墨烯纳米带的聚合物前体。