[发明专利]基于老化的泄漏能量减小方法和系统

说明书

背景技术

除非在本文中另外表明，否则本部分中所述的方法对于本申请中的权利要求来说不是现有技术并且不由于包括在本部分中而被承认是现有技术。

IC制造中的制程变异(PV)指的是一般由于制造制程的性质而导致的IC参数值与标称规范的偏差。深亚微米技术中的PV的存在对于集成电路(IC)能量优化尝试已经变为了主要关注点。一些现有的补偿PV的影响的前硅IC优化应用统计分析来捕捉PV影响并且补偿IC设计中的影响。这些方法一般不是各种设计和技术通用的，并且它们可能受在设计模型中可能不能及时反映的随机要素(诸如环境温度)的极大影响。

解决前述的前硅优化方法不能解决的问题的一些后硅优化方法也存在。然而，现有的方法没有考虑由低能量输入矢量引起的任何IC老化影响。具体地说，IC老化长久以来一直被认为对于IC设计和操作是不利现象，因为它可能引起阈值电压的增大，从而它可能导致随着时间的过去延迟劣化。然而，IC老化所带来的阈值电压增大可能使门的泄漏能量减小。

因此，本文描述利用IC老化来减小目标电路在该目标电路的操作期间的泄漏能量消耗的方法和系统。

概述

根据本公开的至少一些实施例，描述了一种用于减小与后硅目标电路相关联的泄漏能量的方法。一些示例方法可包括基于针对性的度量有目的地老化所述目标电路中的多个门，所述针对性的度量包括与所述目标电路相关联的时序约束。

根据本公开的至少一些实施例，还描述了一种计算机可读介质，其包含用于减小与后硅目标电路相关联的泄漏能量的指令序列。一些示例指令当被处理器执行时可使处理器基于针对性的度量有目的地老化所述目标电路中的多个门，所述针对性的度量包括与所述目标电路相关联的时序约束。

根据本公开的至少一些实施例，描述了一种计算装置，其耦合到后硅目标电路，并且被配置为减小与所述后硅目标电路相关联的泄漏能量。一些示例计算装置可包括可编程单元和处理器，处理器可被配置为基于针对性的度量有目的地老化所述目标电路中的多个门，所述针对性的度量包括与所述目标电路相关联的时序约束。

前述概要仅仅是说明性的，而并不意图以任何方式是限制性的。除了说明性的方面，上述实施例和特征、另外的方面、实施例和特征将通过参考附图和下面的详细描述而变得显而易见。

附图说明

通过结合附图进行的以下描述和所附权利要求，本公开的前述和其它特征将变得更充分地显而易见。这些附图仅仅描绘了根据本公开的几个实施例，因此，不应被认为是限制其范围。将通过使用附图来更具体地、更详细地描述本公开。

在附图中：

图1示出用于对后硅目标电路执行基于老化的泄漏能量减小的示例处理的框图；

图2示出用于识别用于后硅IC老化的一个或多个输入矢量的示例方法；

图3是示例可满足性问题公式化；

图4示出关键路径和有效敏化(可敏化)关键路径的示例；

图5示出示例潜伏期和吞吐量；

图6示出示例门和其输入与输出之间的依赖性；

图7示出输入矢量可如何被应用于在特定地方创建有目的的门开关、因此使温度升高的另一示例；

图8示出用于在待命模式下识别用于后硅IC老化的一个或多个输入矢量的示例方法800；以及

图9是被配置为有目的地老化后硅目标电路的示例计算装置的框图，

所有附图都是依照本公开的一些实施例来安排的。

具体实施方式

在以下详细描述中，对附图进行参考，所述附图形成详细描述的一部分。除非上下文另外指示，否则在附图中，相似的符号通常标识相似的部件。在详细描述、附图和权利要求中描述的说明性实施例并不意味着是限制性的。在不脱离这里所提供的主题的精神或范围的情况下，可以利用其它实施例，以及可以进行其它改变。将易于理解的是，如在本文中一般地描述的和在图中示出的那样，本公开的各方面可以以广泛多样的不同配置被布置、替代、组合和设计，所有这些都被明确地构想，并且构成本公开的一部分。

本公开尤其是针对与如本文中将描述的基于老化的泄漏能量减小方案相关的装置、系统、方法和计算机程序进行一般性的描写的。

本文中所述的系统和方法的实施例涉及基于针对性的度量或者如针对性的度量所规定的那样有目的地老化后硅目标电路中的门。针对性的度量可涉及但不限于与目标电路相关联的泄漏能量减小要求和时序约束。另外，术语“待命模式”在整个本公开中一般是指目标电路的低功率模式。

在本公开中已开发了各种模型，在以下段落中详述它们。

能量模型