[发明专利]基于老化的泄漏能量减小方法和系统

权利要求书

1.一种减小与后硅目标电路相关联的泄漏能量的方法，所述方法包括：

基于针对性的度量有目的地老化所述目标电路中的多个门，所述针对性的度量包括与所述目标电路相关联的时序约束。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括在晶体管级或门级表征所述多个门。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：

选择所述多个门进行老化；以及

确定所述多个门的老化程度。

4.根据权利要求3所述的方法，还包括：

识别所述目标电路的将基于所述针对性的度量不同地老化的第一组门和第二组门。

5.根据权利要求4所述的方法，还包括基于所述目标电路中的每个门对能量消耗的贡献和所述目标电路的关键时序约束将第一权重和第二权重分配给所述每个门，其中所述第一权重与泄漏能量相关联，所述第二权重与时序相关联。

6.根据权利要求5所述的方法，还包括：

将可满足性(SAT)问题公式化，所述SAT问题具有为了减小与所述目标电路相关联的泄漏能量的所述第一组门的第一组目标和所述第二组门的第二组目标；以及

通过下述方式为所述目标电路选择候选输入矢量集合，即，通过基于所述第一权重和所述第二权重在第一组目标和第二组目标中除去一个或多个门不予以考虑来迭代地求解所述SAT问题。

7.根据权利要求6所述的方法，还包括以与所述目标电路相关联的时序约束也被满足的这样的方式从所述候选输入矢量集合中选择输入矢量子集。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括在具有最小化与所述第二组门相关联的泄漏能量的目标的线性程序中设置所述时序约束。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括基于就与所述目标电路中的门的子集相关联的延迟而言的初始的最长路径来逼近所述目标电路中的可能的关键路径。

10.根据权利要求1所述的方法，还包括基于所述针对性的度量将自适应体偏置(ABB)应用于所述目标电路。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述有目的地老化所述目标电路中的多个门减少了所述目标电路中的热点。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述有目的地老化所述目标电路中的多个门改进了产率。

13.根据权利要求7所述的方法，还包括：

将所述输入矢量子集提供给所述目标电路以使所述第二组门中的至少一些的老化程度大于所述第一组门。

14.一种非暂时性计算机可读介质，包含用于减少与后硅目标电路相关联的泄漏能量的指令序列，所述指令序列当被处理器执行时使所述处理器：

基于针对性的度量有目的地老化所述目标电路中的多个门，所述针对性的度量包括与所述目标电路相关联的时序约束。

15.根据权利要求14所述的非暂时性计算机可读介质，还包含指令序列，所述指令序列当被所述处理器执行时使所述处理器在晶体管级或门级表征所述多个门。

16.根据权利要求14所述的非暂时性计算机可读介质，还包含指令序列，所述指令序列当被所述处理器执行时使所述处理器：

选择所述多个门进行老化；以及

确定所述多个门的老化程度。

17.根据权利要求16所述的非暂时性计算机可读介质，还包含指令序列，所述指令序列当被所述处理器执行时使所述处理器：

识别所述目标电路的将基于所述针对性的度量不同地老化的第一组门和第二组门。

18.根据权利要求17所述的非暂时性计算机可读介质，还包含指令序列，所述指令序列当被所述处理器执行时使所述处理器：

基于所述目标电路中的每个门对能量消耗的贡献和所述目标电路的关键时序约束将第一权重和第二权重分配给所述每个门，其中所述第一权重与泄漏能量相关联，所述第二权重与时序相关联。