[发明专利]亲水化的有机硅颗粒及制造方法有效
申请号: | 201380069291.3 | 申请日: | 2013-01-03 |
公开(公告)号: | CN104968719B | 公开(公告)日: | 2018-11-06 |
发明(设计)人: | 井口良范;萩原守;大村直树 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | C08J7/12 | 分类号: | C08J7/12;C08J7/18;C08G77/04 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 李英 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 水化 有机硅 颗粒 制造 方法 | ||
1.有机硅颗粒的水分散体,其中,有机硅颗粒的表面是疏水的有机硅颗粒通过等离子体处理而亲水化的表面,并且亲水化的有机硅颗粒均匀地分散于水中,并且通过在水蒸发时使亲水特性消失而变得疏水,其中疏水的有机硅颗粒为聚有机倍半硅氧烷颗粒或表面涂覆有聚有机倍半硅氧烷的硅橡胶颗粒。
2.用于制备有机硅颗粒的水分散体的方法,包括如下步骤:等离子体处理疏水的有机硅颗粒的表面由此得到亲水化的有机硅颗粒,然后为如下的(i)或(ii)
(i)使得到的亲水化的有机硅颗粒暴露至水蒸汽气氛和使其分散于水中,
(ii)将得到的亲水化有机硅颗粒分散于水中,
其中疏水的有机硅颗粒为聚有机倍半硅氧烷颗粒或表面涂覆有聚有机倍半硅氧烷的硅橡胶颗粒。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,通过在真空室中使用含氧气体或含氧气体与稀有气体的气体混合物使疏水的有机硅颗粒的表面经受低压氧等离子体处理而将其亲水化,所述含氧气体选自氧气、水蒸汽和过氧化氢。
4.根据权利要求3所述的方法,其中,将所述疏水的有机硅颗粒进料至所述室中,将所述室抽吸至等于或小于5Pa的压力,将含氧气体或含氧气体与稀有气体的气体混合物进料至所述室中,并在30至100Pa的压力下进行低压氧等离子体处理。
5.根据权利要求2所述的方法,其中,通过使用稀有气体或稀有气体与含氧气体的气体混合物使疏水的有机硅颗粒的表面经受常压等离子体处理而使其亲水化,所述含氧气体选自氧气、水蒸汽和过氧化氢。
6.根据权利要求2所述的方法,其中,通过使用烃气体、含氧气体和任选的稀有气体使疏水的有机硅颗粒的表面经受等离子体聚合处理而亲水化。
7.根据权利要求6所述的方法,其中,将所述疏水的有机硅颗粒进料至等离子体聚合反应器中,将所述反应器抽吸至等于或小于0.5Pa的压力,将烃气体、含氧气体和任选的稀有气体进料至所述反应器,并在3至10Pa的压力下进行等离子体聚合处理。
8.化妆品组合物,其包含有机硅颗粒的水分散体,其中,有机硅颗粒的表面是疏水的有机硅颗粒通过等离子体处理而亲水化的表面,并且亲水化的有机硅颗粒均匀地分散于水中,并且由于在水蒸发时亲水特性消失而变得疏水,
其中疏水的有机硅颗粒为聚有机倍半硅氧烷颗粒或表面涂覆有聚有机倍半硅氧烷的硅橡胶颗粒。
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