[发明专利]透明有机发光显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201380067992.3 | 申请日: | 2013-12-24 |
公开(公告)号: | CN104885250A | 公开(公告)日: | 2015-09-02 |
发明(设计)人: | 金龙哲;任从赫 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H05B33/10 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 透明 有机 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
相关申请的交叉引用
本申请要求2012年12月27日提交的韩国专利申请No.2012-0155590在35 U.S.C.§119下的优先权,通过引用将其公开全部并入本文。
技术领域
本发明构思的实施方式涉及透明有机发光显示装置(OLED)及其制造方法,更具体地讲,涉及一种改进了透射率并且使亮度的劣化最小化的透明有机发光显示装置及其制造方法。
背景技术
与液晶显示装置(LCD)不同,有机发光显示装置是自发射显示装置并且可被制造成重量轻且薄,而无需单独的光源。另外,有机发光显示装置由于低功率驱动而在功耗方面具有优势,具有良好的颜色实现、响应速度、视角和对比度,并且已作为下一代显示器被研究。
已尝试将有机发光显示装置制造为透明显示装置。透明有机发光显示装置是这样一种有机发光显示装置,其可观察位于背后的对象并且包括通过有机发光元件的发射来显示图像的像素区域以及透射外部光的透射区域。
发明内容
在一方面中,提供了一种具有通过各个子像素的透射区域增加光透射率的改进配置的透明有机发光显示装置。在一个实施方式中,所述透明有机发光显示装置包括具有多个子像素区域的第一基板。各个子像素区域包含发射区域和透射区域。该透明有机发光显示装置还包括子像素的发射区域中的薄膜晶体管(TFT)以及电连接到TFT的有机发光元件。该透明有机发光显示装置中还包括设置在子像素区域的发射区域中的多个绝缘层。这里,所述绝缘层中的至少一个被配置为使得它从子像素区域的发射区域延伸至透射区域中。延伸到透射区域中的绝缘层的至少某一部分具有与第一基板相同的折射率。第一基板与延伸到透射区域中的绝缘层之间的相同的折射率降低了它们的界面处的全内反射,从而允许更多外部光穿过透射区域。
在一些实施方式中,延伸到透射区域中的绝缘层具有多层结构。并非包括在所述多层结构中的所有层均延伸到子像素区域的透射区域中。相反,所述多层结构中的至少一个层被容纳在发射区域内而未延伸到透射区域中,而设置在发射区域中的所述多层结构中的至少一个层延伸到透射区域中。
在一些实施方式中,在发射区域以及透射区域二者中的绝缘层是插置在TFT和第一基板之间的绝缘层。在一个实施方式中,插置在TFT和第一基板之间的绝缘层具有多层结构,并且TFT具有与设置在所述多层结构上的氧化物半导体层共面的结构。在这种情况下,所述多层结构中的接触氧化物半导体层的层延伸到透射区域中并且不包含氮化硅。另外,在一个实施方式中,TFT具有设置在栅电极上的氧化物半导体层。在这种情况下,在发射区域以及透射区域二者中的绝缘层被插置在TFT的栅电极和氧化物半导体之间。插置在栅电极和氧化物半导体之间的绝缘层具有多层结构,所述多层结构中的接触氧化物半导体的层不包含氮化硅。
在一些实施方式中,透明有机发光显示装置包括与第一基板相对的第二基板。TFT、有机发光元件、多个绝缘层和封装层被插置在第一基板和第二基板之间。在该透明有机发光显示装置中,第一基板、延伸到透射区域中的绝缘层以及第二基板全部具有彼此基本上相同的折射率。即,第一基板和第二基板的折射率与延伸到透射区域中的绝缘层和相对基板的折射率基本上相同。同样,延伸到透射区域中的绝缘层的折射率与第一基板和第二基板的折射率基本上相同。
在一个方面中,提供了一种被配置用于增加穿过显示装置的总光透射率的透明有机发光显示装置。
在一个实施方式中,该有机发光显示装置包括具有多个子像素的基板。各个子像素具有发射光的发射区域以及允许外部光穿过的透射区域。有机发光显示装置还包括一个或更多个薄膜晶体管,该一个或更多个薄膜晶体管利用栅电极、有源层和源电极/漏电极形成,并且在操作上电连接到一个或更多个有机发光元件。封装层被包括在该有机发光显示装置中以保护有机发光元件和/或TFT免于水分和空气的渗透。该有机发光显示装置中还包括多个绝缘层,这包括第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层。第一绝缘层被插置在基板和TFT之间;第二绝缘层被插置在TFT的栅电极和有源层之间;第三绝缘层被设置在TFT上。在第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层当中,至少一个绝缘层的折射率与基板的折射率的差异超过预定值。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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