[发明专利]透明有机发光显示装置及其制造方法

权利要求书

1.一种透明有机发光显示装置，该透明有机发光显示装置包括：

第一基板，该第一基板具有子像素区域，该子像素区域具有发射区域和透射区域；

薄膜晶体管TFT，该TFT被设置在所述发射区域中；

有机发光元件，该有机发光元件被设置在所述发射区域中，该有机发光元件电连接到被设置在所述发射区域中的所述TFT；以及

所述发射区域中的多个绝缘层，其中，所述多个绝缘层中的至少一个绝缘层延伸到所述透射区域中，并且延伸到所述透射区域中的所述绝缘层的至少一部分具有与所述第一基板基本上相同的折射率。

2.根据权利要求1所述的透明有机发光显示装置，其中，所述多个绝缘层中的延伸到所述透射区域中的所述至少一个绝缘层是栅绝缘层、层间绝缘层、钝化层、覆盖层和缓冲层中的任一个。

3.根据权利要求1所述的透明有机发光显示装置，其中，所述多个绝缘层中的延伸到所述透射区域中的所述至少一个绝缘层具有多层结构，并且其中，所述多层结构包括容纳在所述发射区域内的至少一个层和延伸到所述透射区域中的至少一个层。

4.根据权利要求3所述的透明有机发光显示装置，其中，延伸到所述透射区域中的所述至少一个绝缘层被插置在所述TFT和所述第一基板之间。

5.根据权利要求4所述的透明有机发光显示装置，其中，设置在所述基板上的所述TFT是与氧化物半导体层共面的TFT，并且其中，所述多层结构中的接触所述氧化物半导体层的层从所述发射区域延伸到所述透射区域中并且不包含氮化硅。

6.根据权利要求3所述的透明有机发光显示装置，其中，设置在所述基板上的所述TFT是具有设置在栅电极上的氧化物半导体层的反向交叠TFT，所述多层结构被插置在所述栅电极和所述氧化物半导体层之间，并且其中，所述多层结构中的接触所述氧化物半导体层的层延伸到所述透射区域中并且不包含氮化硅。

7.根据权利要求3所述的透明有机发光显示装置，该透明有机发光显示装置还包括第二基板，其中，所述第一基板、所述多层结构中的延伸到所述透射区域中的所述至少一个层以及所述第二基板全部具有彼此基本上相同的折射率。

8.根据权利要求3所述的透明有机发光显示装置，该透明有机发光显示装置还包括覆盖所述有机发光元件的封装层，所述封装层被设置在所述发射区域的至少一部分和所述透射区域的至少一部分上，其中，所述第一基板、所述封装层以及所述多层结构中的延伸到所述透射区域中的所述至少一个层具有基本上相同的折射率。

9.根据权利要求8所述的透明有机发光显示装置，其中，所述有机发光元件包括阳极、被配置为发射白光的有机发光层以及阴极，并且其中，所述有机发光显示装置还包括用于对所述白光进行滤光以形成彩色光的滤色器。

10.一种透明有机发光显示装置，该透明有机发光显示装置包括：

基板，该基板具有多个子像素区域，所述多个子像素区域中的每一个具有发射区域和透射区域；

第一绝缘层，该第一绝缘层位于所述基板上；

薄膜晶体管TFT，该TFT被设置在所述第一绝缘层上，所述TFT具有栅电极、第二绝缘层、源电极、漏电极和有源层；

第三绝缘层，该第三绝缘层被设置在所述TFT上；

有机发光元件，该有机发光元件被设置在所述第二绝缘层上；以及

封装层，该封装层被设置在所述有机发光元件上，

其中，所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层中的至少一个的折射率与所述基板的折射率的差异超过预定值，并且被容纳在所述子像素区域的所述发射区域内。

11.根据权利要求10所述的透明有机发光显示装置，其中，所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层中的至少一个的折射率与所述基板的折射率基本上相同，并且从所述子像素区域的所述发射区域延伸到所述透射区域中。

12.根据权利要求10所述的透明有机发光显示装置，其中，所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层中的至少一个是多层结构，该多层结构包括折射率与所述基板基本上相同的至少一个层以及折射率与所述基板的差异超过所述预定阈值的至少一个层，并且其中，折射率不同于所述基板的所述至少一个层被容纳在所述子像素区域的所述发射区域内。