[发明专利]固态图像拾取元件和电子设备

说明书

一种固态成像元件(1)，包括：基板(12)；在所述基板的光入射侧上形成的包含黄铜矿材料的光电转换部(50)；在所述光电转换部的光入射侧的透明电极(57)；和在所述光电转换部和所述透明电极之间形成的电子阻挡层(58)；以及所述固态成像元件的制造方法和包括所述固态成像元件的电子设备。

技术领域

本技术涉及一种固态图像拾取元件。本技术也涉及一种包括固态图像拾取元件的电子设备。

背景技术

固态图像拾取元件的例子包括经由MOS晶体管读出在光电二极管的pn结电容中累积的光电荷的CMOS图像传感器，其中光电二极管包含在光电转换元件中。特别地，已提出了将诸如CuInGaS₂和CuInGaSe₂等黄铜矿材料用作光电转换部的CMOS图像传感器。例如，已提出了在光电转换部中使用光吸收系数高的诸如CuInGaSe₂膜等化合物半导体膜，从而可以实现更高的感光性(例如，参照PTL 1)。另外，可以在n型ZnO和p-CuInGaSe₂之间插入CdS和i型ZnO的层间绝缘膜，从而防止在反向偏压状态下产生泄漏电流(例如，参照PTL 2和PTL3)。当施加反向偏压时，CdS和i型ZnO的层间绝缘膜充当可以减少或防止空穴从n侧电极侧注入到CuInGaSe₂膜侧的势垒。另外，已提出了S/N比高并且将与Si基板晶格匹配的诸如CuInGaS₂膜等化合物半导体膜用于光电转换部的CMOS图像传感器(例如，参照PTL 4)。另外，可以将光吸收系数高的诸如CuInGaS₂膜等化合物半导体膜用于光电转换部以遮光，从而可以实现全局快门(例如，参照PTL 5)。

[引用文献列表]

[专利文献]

[PTL 1]JP 2007-123720A

[PTL 2]JP 2011-151271A

[PTL 3]JP 2009-259872A

[PTL 4]JP 2011-146635A

[PTL 5]JP 2011-199057A

发明内容

[技术问题]

在将黄铜矿材料用于光电转换部的CMOS图像传感器中，当将反向偏压施加到光电转换部以读出信号时，电子可能从电子侧电极注入到光电转换膜侧，从而在某些情况下产生泄漏电流。这种泄漏电流的成分变为作为图像拾取单元的暗电流的噪声成分。因此降低了S/N比并且图像质量劣化。

因此，本公开的各种实施方案可以有利地提供一种能够抑制或降低由泄漏到光电转换部中的泄漏电流导致的图像质量劣化的固态图像拾取元件和包括所述固态图像拾取元件的电子设备。

[问题的解决方案]

本公开的各种实施方案涉及固态成像元件，包括：基板；在所述基板的光入射侧上形成的包含黄铜矿材料的光电转换部；在所述光电转换部的光入射侧的透明电极；和在所述光电转换部和所述透明电极之间形成的电子阻挡层。

本公开的其他示例性实施方案涉及一种固态成像元件的制造方法，包括：形成包含黄铜矿材料的光电转换部；在所述光电转换部的光入射侧形成透明电极；和在所述光电转换部和所述透明电极之间形成电子阻挡层。

本公开的其他示例性实施方案涉及一种电子设备，包括：固态成像元件，所述固态成像元件包括：基板；在所述基板的光入射侧上形成的包含黄铜矿材料的光电转换部；在所述光电转换部的光入射侧的透明电极；和在所述光电转换部和所述透明电极之间形成的电子阻挡层。

[发明的有益效果]