[发明专利]固态图像拾取元件和电子设备有效

申请号：	201380066092.7	申请日：	2013-12-17
公开（公告）号：	CN104854700B	公开（公告）日：	2018-06-12
发明（设计）人：	户田淳	申请（专利权）人：	索尼公司
主分类号：	H01L27/146	分类号：	H01L27/146;H01L31/032;H01L31/072
代理公司：	北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290	代理人：	梁兴龙;曹正建
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：
搜索关键词：	固态成像元件光电转换部电子设备透明电极光入射基板固态图像拾取元件电子阻挡层黄铜矿制造
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【权利要求书】：

1.一种固态成像元件，包括：

基板；

在所述基板的光入射侧上形成的包含黄铜矿材料的光电转换部；

在所述光电转换部的光入射侧的透明电极；和

在所述光电转换部和所述透明电极之间形成的电子阻挡层，

其中，所述电子阻挡层包含至少两种材料，并且其中所述至少两种材料层叠。

2.如权利要求1所述的固态成像元件，其中所述透明电极是ITO并且所述黄铜矿材料是CuInGaS。

3.如权利要求1所述的固态成像元件，其中所述电子阻挡层的厚度为10nm。

4.如权利要求1所述的固态成像元件，其中所述电子阻挡层的势垒为0.6～1.3eV。

5.如权利要求1所述的固态成像元件，其中所述电子阻挡层的势垒为1.0～1.3eV。

6.如权利要求1所述的固态成像元件，其中所述电子阻挡层包含NiO、Cu₂O和ZnRh₂O₄中的至少一种。

7.如权利要求1所述的固态成像元件，其中所述电子阻挡层的厚度为4～10nm。

8.如权利要求1所述的固态成像元件，其中所述电子阻挡层的厚度为6～10nm。

9.如权利要求1所述的固态成像元件，其中所述透明电极是ITO，所述电子阻挡层包含Cu₂O，所述电子阻挡层的势垒为1.3eV，以及所述电子阻挡层的厚度为6～10nm。

10.如权利要求1所述的固态成像元件，其中所述至少两种材料是Cu₂O在ZnRh₂O₄上。

11.一种固态成像元件的制造方法，包括：

形成包含黄铜矿材料的光电转换部；

在所述光电转换部的光入射侧形成透明电极；和

在所述光电转换部和所述透明电极之间形成电子阻挡层，

其中，所述电子阻挡层包含至少两种材料，并且其中所述至少两种材料层叠。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述透明电极是ITO并且所述黄铜矿材料是CuInGaS。

13.如权利要求11所述的方法，其中所述电子阻挡层的厚度为10nm。

14.如权利要求11所述的方法，其中所述电子阻挡层的势垒为0.6～1.3eV。

15.如权利要求11所述的方法，其中所述电子阻挡层的势垒为1.0～1.3eV。

16.如权利要求11所述的方法，其中所述电子阻挡层包含NiO、Cu₂O和ZnRh₂O₄中的至少一种。

17.如权利要求11所述的方法，其中所述电子阻挡层包含NiO并且所述电子阻挡层的厚度为4～10nm。

18.一种电子设备，包括：

固态成像元件，包括：

基板；

在所述基板的光入射侧上形成的包含黄铜矿材料的光电转换部；

在所述光电转换部的光入射侧的透明电极；和

在所述光电转换部和所述透明电极之间形成的电子阻挡层，

其中，所述电子阻挡层包含至少两种材料，并且其中所述至少两种材料层叠。

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