[发明专利]用于光刻设备的衬底支撑件和光刻设备

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2012年12月17日递交的美国临时申请61/738,344以及于2013年9月4日递交的美国临时申请61/873,806的权益，其在此通过引用将它们的全文并入本文中。

技术领域

本发明涉及光刻设备和用于光刻设备的衬底支撑件。

背景技术

光刻设备是一种将期望的图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(ICs)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成将要在所述IC的单层上形成的电路图案。这种图案可以被转移到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括一部分管芯、一个或若干个管芯)上。通常，图案转移是通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来实现的。通常，单个衬底将包含被连续形成图案的相邻的目标部分的网络。

光刻术被广泛地看作是制造IC和其他器件和/或结构的关键步骤之一。然而，随着通过使用光刻术制造的特征的尺寸变得越来越小，光刻术正变成允许制造微型IC或其他器件和/或结构的更加关键的因素。

图案印刷的极限的理论估计可以由用于分辨率的瑞利法则给出，如等式(1)所示：

CD=k1*λNA---(1)]]>

其中λ是所用辐射的波长，NA是用以印刷图案的投影系统的数值孔径，k₁是依赖于过程的调节因子，也称为瑞利常数，CD是所印刷的特征的特征尺寸(或临界尺寸)。由等式(1)知道，减小特征的最小可印刷尺寸可以由三种途径实现：通过缩短曝光波长λ、通过增大数值孔径NA或通过减小k₁的值。

为了缩短曝光波长，并因此减小最小可印刷尺寸，已经提出使用极紫外(EUV)辐射源。EUV辐射是具有在5-20nm范围内波长的电磁辐射，例如在13-14nm范围内。另外已经提出可以使用波长小于10nm的EUV辐射，例如在5-10nm范围内，诸如6.7nm或6.8nm。这样的辐射被用术语极紫外辐射或软x射线辐射来表示。可能的源包括例如激光产生的等离子体源、放电等离子体源或基于通过电子存储环提供的同步加速器辐射的源。

可以通过使用等离子体来产生EUV辐射。用于产生EUV辐射的辐射系统可以包括用于激发燃料以提供等离子体的激光器和用于容纳等离子体的源收集器设备。例如可以通过将激光束引导至诸如合适材料(例如锡)的颗粒或者合适气体或蒸汽(例如氙气或锂蒸汽)的束流等燃料来产生等离子体。所形成的等离子体发出输出辐射，例如EUV辐射，其通过使用辐射收集器来收集。辐射收集器可以是反射镜式正入射辐射收集器，其接收辐射并将辐射聚焦成束。源收集器设备可以包括包围结构或腔室，布置成提供真空环境以支持等离子体。这种辐射系统通常被用术语激光产生的等离子体(LPP)源来表示。

包含投影光学装置的腔和包含晶片台和支撑件的环境可以通过气锁机构来分离开，其防止来自晶片台环境的污染物进入到投影光学装置腔中。气流被从气锁机构发射到下面的晶片平台上，这将热负载引入到晶片平台上。该热负载可能在晶片平台之上不总是恒定的，并且可能依赖于晶片平台的位置而变化。例如，当气锁机构在传感器(例如透射图像传感器TIS板)的上方时，可以看到热负载比较高。

发明内容

期望减小由于从气锁机构发射到晶片平台的元件(诸如传感器和/或晶片本身)上的气体所造成的热负载。

第一实施例提供了用于将具有在EUV范围内的波长或更短波长的辐射束投影到衬底的目标部分上的所述类型的设备的衬底支撑件，所述衬底支撑件包括：衬底台，构造成保持衬底；支撑块，用于支撑衬底台；至少一个传感器单元；和盖板，设置成围绕衬底台和传感器单元，使得盖板的顶表面、传感器单元的顶表面和在被安装在衬底台上时衬底的顶表面都处于大致同一高度水平。此处的EUV范围是指波长在5-20nm范围内的电磁辐射。