[发明专利]用于脉冲宽度调制的调制器的载荷瞬变异步升压

权利要求书

1.一种具有同步脉冲宽度调制(PWM)电压模式控制架构的脉冲宽度调制控制器，其特征在于，所述脉冲宽度调制控制器包括：

用于检测瞬变载荷的装置和用于异步改变状态机的状态的装置。

2.根据权利要求1所述的脉冲宽度调制控制器，具有放大器(17)，所述放大器被布置成将误差信号(Verror)输出到瞬变载荷检测电路(DC)，所述瞬变载荷检测电路提供所述用于检测瞬变载荷的装置。

3.一种脉冲宽度调制控制器，其中，所述瞬变载荷检测电路(DC)包括：晶体管，所述晶体管具有与所述放大器的输出端连接的栅极以响应所述误差信号(Verror)；以及

源极电阻器(18)，与源极电容器(19)并联的所述源极电阻器连接至源极端子(14)，从而在稳态运行中，所有电流流经所述源极电阻器(18)，并当检测信号快速变化时，源极处的快速电压变化导致电流流经所述源极电容器(19)以使所述电阻器(18)短路。

4.根据权利要求3所述的脉冲宽度调制控制器，其中，所述电阻器(18)的值约为1ΜΩ至999ΜΩ。

5.根据权利要求4所述的脉冲宽度调制控制器，其中，所述晶体管在所述源极端子处输出检测信号(S)。

6.根据权利要求5所述的脉冲宽度调制控制器，其中，延迟电路(D)连接至所述源极端子以响应于所述检测信号(S)。

7.根据权利要求6所述的脉冲宽度调制控制器，其中，所述延迟电路(D)响应于所述检测信号以产生分别施加于PMOS锁存器(L1)和NMOS锁存器(L2)的第一锁存信号(S1)和第二锁存信号(S2)，所述PMOS锁存器(L1)和所述NMOS锁存器(2)分别连接至PMOS晶体管(8)和NMOS晶体管(9)，因此，响应于所述第一锁存信号(S1)和所述第二锁存信号(S2)，所述PMOS晶体管(8)和所述NMOS晶体管(9)各自的导通状态被切换。

8.根据权利要求7所述的脉冲宽度调制控制器，其中，所述检测电路(D)被布置成产生在所述检测信号(S)的阶跃时同步的矩形锁存信号(S1、S2)。

9.根据权利要求8所述的脉冲宽度调制控制器，其中，所述检测电路被布置成相对于一个锁存信号(S1)延迟产生另一个锁存信号(S2)，以提供用于异步改变所述状态机的状态的装置。

10.一种包含根据权利要求1至9中任一项所述的脉冲宽度调制控制器的电源管理单元(PMU)。

11.一种包含根据权利要求10所述的电源管理单元的移动设备。