[发明专利]用于增强太阳能电池金属化的无电镀电导率的方法有效
申请号: | 201380064533.X | 申请日: | 2013-12-05 |
公开(公告)号: | CN105074936B | 公开(公告)日: | 2019-04-12 |
发明(设计)人: | 迈克尔·卡德兹诺维克;约瑟夫·本克 | 申请(专利权)人: | 太阳能公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/0745;H01L31/18;C23C18/16;C25D5/10;C25D7/12 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 顾丽波;井杰 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 增强 太阳能电池 金属化 电镀 电导率 方法 | ||
本发明公开了一种用于形成太阳能电池的接触区的方法。所述方法包括:在所述太阳能电池的基板之上沉积由第一金属组成的浆料;固化所述浆料以形成第一金属层;在所述第一金属层上以无电镀方式镀覆第二金属层;以及在所述第二金属层上以电解方式镀覆第三金属层,其中所述第二金属层将所述第一金属层电耦合到所述第三金属层。所述方法还可包括在所述第三金属层上以电解方式镀覆第四金属层。
相关专利申请的交叉引用
本申请要求2012年12月10日提交的美国临时申请No.61/956,175和2013年3月15日提交的美国临时申请No.61/794,499的权益,所述临时申请的全部内容据此以引用方式并入本文。
技术领域
本文所述主题的实施例总体上涉及太阳能电池。更具体地讲,本主题的实施例涉及太阳能电池结构和制造过程。
背景技术
太阳能电池是众所周知的用于将太阳辐射转换成电能的装置。其可使用半导体加工技术制造在半导体晶片上。太阳能电池包含P型和N型扩散区。冲击在太阳能电池上的太阳辐射产生迁移到扩散区的电子和空穴,从而在这些扩散区之间形成电压差。在背面接触式太阳能电池中,扩散区以及耦合到其的金属接触指均位于太阳能电池的背面上。这些接触指允许外部电路耦合到太阳能电池并且由该太阳能电池供电。
用于改善触点形成并且在制造期间将金属镀覆到太阳能电池的技术十分有益,因为这些技术是标准太阳能电池制造过程的固有部分。此类改进技术可减少制造操作并且提高整体输出产率,从而因较少处理而缩短太阳能电池整体制造时间并提高可用产品产率。
附图说明
结合以下附图考虑时,可通过参考具体实施方式和权利要求得到对本主题的更完整理解,其中在所有这些附图中,相似参照编号指代类似元件。
图1-图6是根据标准太阳能电池制造过程的太阳能电池的剖面示图;
图7-图10是沿单个金属接触指和多个金属接触指的电导率的模型的图示;
图11-图18是根据用于形成太阳能电池的接触区的方法制造的太阳能电池的剖面示图;
图19-图23是根据用于形成太阳能电池的接触区的另一种方法制造的太阳能电池的剖面示图;
图24和图25是根据用于形成太阳能电池的接触区的又一种方法制造的太阳能电池的剖面示图;
图26和图27是根据用于形成太阳能电池的接触区的方法制造的太阳能电池的剖面示图;
图28和图29是根据用于形成太阳能电池的接触区的另一种方法制造的太阳能电池的剖面示图;
图30-图37是根据用于形成太阳能电池的接触区的方法,用于形成太阳能电池的接触区的方法的流程图。
具体实施方式
以下详细描述本质上仅为示例性,并且并非意图限制本主题的实施例或这些实施例的应用和使用。如本文所用,词语“示例性”意思是“充当例子、示例或图解”。本文中描述为示例性的任一实施未必被理解为比其他实施优选或有利。此外,并非意图受到前述技术领域、背景技术、发明内容或以下具体实施方式中提出的任一所表达或所暗示理论的约束。
另外,阐述众多具体细节(例如具体过程流程操作)以便提供对本方法及其实施例的透彻理解。所属领域的技术人员将显而易见,可在没有这些具体细节的情况下实践本方法及其实施例。在其他情况中,对于一些熟知的制造技术(例如平版印刷、蚀刻和镀覆技术)未作详细描述,以免不必要地使所述方法及其实施例变得难以理解。此外,应当理解,图中所示的各种实施例为示例性表示并且未必按比例绘制。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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