[发明专利]用于在衬底上进行垂直金属电流沉积的装置

说明书

技术领域

本发明一般来说涉及一种用于在衬底上进行垂直金属、优选地为铜电流沉积的装置。本发明进一步涉及一种用于使用此装置在衬底上进行垂直金属、优选地为铜电流沉积的方法。

背景技术

由半导体晶片产生半导电集成电路及其它半导电装置通常需要在晶片上形成多个金属层以电互连集成电路的各种装置。电镀金属通常包含铜、镍、金及铅。在典型的电镀设备中，所述设备的阳极(可消耗或不可消耗)浸没于设备的反应器器皿内的电镀溶液中以用于在工件的表面处形成所要电位以实现金属沉积。先前采用的阳极一直以来通常为盘状配置，其中电镀溶液绕阳极的外围引导，且穿过大体定位于阳极上面且与阳极成间隔开关系的多孔扩散器板。电镀溶液流过扩散器板，且撞击固持于扩散器上面的位置中的相关联工件。当金属在工件的表面上沉积时通过可旋转地驱动工件来促进金属沉积的均匀度。

在电镀之后，将典型的半导体晶片或其它工件细分成若干个别半导体组件。为在每一组件内实现电路的所要形成同时实现在一个组件与下一组件间的所要镀覆均匀度，期望将每一金属层形成为跨越工件的表面尽可能均匀的厚度。然而，由于每一工件通常在其外围部分处接合于电镀设备的电路中(其中工件通常充当阴极)，因此跨越工件的表面的电流密度的变化是不可避免的。在过去，促进金属沉积均匀度的努力已包含流动控制装置(例如扩散器等等),其定位于电镀反应器器皿内，以便引导并控制电镀溶液冲击工件的流动。

然而，市场上仍存在对提供经改善装置及使用此类新的经改善装置进行金属电流沉积、特定来说用于垂直金属电流沉积的方法的高度需求。

通常，已知的装置及方法具有呈此类电镀金属的不均匀沉积的形式的显著缺点。此外，此类已知的装置及方法通常在其借助待处理衬底的互连孔的后续填充而成功且有效地执行所述互连孔中电镀金属的桥接器构建而不产生经封闭空隙、气体、电解质液体及类似物(其引起如短路及类似物等已知技术缺点)的能力上强烈受限。衬底(如印刷电路板、晶片或类似物)中的盲孔的填充遭遇相同问题。

本发明的目标

鉴于现有技术，因此本发明的目标是提供一种用于在衬底上进行垂直金属电流沉积的装置，其将不展现已知现有技术装置的前述缺点。

因此，需要一种以均匀方式在衬底的至少一侧上沉积电镀金属而在所述衬底的所述至少一侧的表面上方不具有不均匀部分或厚度梯度的方法。

另外，本发明的另一目标是提供一种不仅能够在衬底的一侧上沉积电镀金属而且能够填充所述衬底中的盲孔的装置。

发明内容

这些目标以及未明确陈述但根据以介绍的方式论述于本文中的上下文可即刻导出或辨别的其它目标通过一种具有技术方案1的所有特征的装置实现。在附属技术方案2到13中保护对本发明装置的适当修改。此外，技术方案14包括一种用于使用此装置在衬底上进行垂直金属、优选地为铜电流沉积的方法，而附属技术方案15包括所述发明方法的适当修改。

本发明因此提供一种用于在衬底上进行垂直金属、优选地为铜电流沉积的装置，其特征在于所述装置包括彼此平行地以垂直方式布置的至少第一装置元件及第二装置元件，其中所述第一装置元件包括具有多个贯通导管的至少第一阳极元件及具有多个贯通导管的至少第一载体元件，其中所述至少第一阳极元件与所述至少第一载体元件彼此牢固地连接；且其中所述第二装置元件包括适于接纳至少第一待处理衬底的至少第一衬底固持器，其中所述至少第一衬底固持器在接纳所述至少第一待处理衬底之后沿着其外框架至少部分地、优选地完全地包围所述至少第一待处理衬底；且其中所述至少第一装置元件的所述第一阳极元件与所述第二装置元件的所述至少第一衬底固持器之间的距离介于从2mm到15mm的范围内。

因此，可以不可预知的方式提供一种不展现已知现有技术装置的前述缺点的用于在衬底上进行垂直金属电流沉积的装置。

除此以外，本发明的装置还提供一种以均匀方式在衬底的至少一侧上沉积电镀金属而在所述衬底的所述至少一侧的表面上方不具有不均匀部分或厚度梯度的方法。

此外，本发明提供一种不仅能够在衬底的一侧上沉积电镀金属而且能够填充所述衬底中的盲孔的装置。

此外，本发明的装置提供一种装置，其中所述至少第一阳极元件及所述至少第一载体元件的所述多个贯通导管用于产生处理溶液(特定来说，现有技术中已知的电解质溶液)的合适恒定体积流，其引发将处理溶液的尽可能高的恒定体积流从待处理衬底的表面的中心引导到所述待处理衬底的外边缘。

附图说明