[发明专利]TFT基板

说明书

技术领域

本发明涉及TFT基板，特别是涉及适用于显示装置的TFT基板。

背景技术

有源矩阵型的液晶显示装置一般具备：按每个像素形成有薄膜晶体管(Thin Film Transistor；以下称为“TFT”)作为开关元件的基板(以下称为“TFT基板”)；形成有彩色滤光片等的相对基板；设置在TFT基板和相对基板之间的液晶层；以及用于对液晶层施加电压的一对电极。

在有源矩阵型的液晶显示装置中，根据其用途提出、采用各种工作模式。作为工作模式，能列举TN(Twisted Nematic：扭曲向列)模式、VA(Vertical Alignment：垂直取向)模式、IPS(In-Plane-Switching：面内开关)模式、FFS(Fringe Field Switching：边缘场开关)模式等。

其中TN模式、VA模式是由夹着液晶层配置的一对电极对液晶分子施加电场的纵方向电场方式的模式。IPS模式、FFS模式是在一方基板上设置一对电极并在与基板面平行的方向(横方向)上对液晶分子施加电场的横方向电场方式的模式。在横方向电场方式中，液晶分子不从基板立起，因此与纵方向电场方式相比具有能实现广视野角的优点。

FFS模式的液晶显示装置例如公开于专利文献1等中。在其中使用的TFT基板中，在TFT的上方隔着绝缘膜设置有共用电极和像素电极。在这些电极中的典型地位于液晶层侧的电极(例如像素电极)中形成有狭缝状的开口。由此，产生由从像素电极出来穿过液晶层进而穿过狭缝状的开口而从共用电极出来的电力线表示的电场。该电场相对于液晶层具有横方向的成分，因此能使在水平方向上取向的液晶分子在面内旋转。

另外，提出了使用氧化物半导体代替硅半导体形成TFT的有源层的方案。将这种TFT称为“氧化物半导体TFT”。例如，在专利文献2中公开了使用氧化物半导体TFT作为开关元件的有源矩阵型的液晶显示装置。

氧化物半导体具有比非晶硅的迁移率高的迁移率。因此，氧化物半导体TFT与非晶硅TFT相比能高速地工作。另外，具有与多晶硅膜相比能以简便的工艺形成氧化物半导体膜的优点。

氧化物半导体TFT的尺寸较小，因此如果将其用于显示装置中，与使用以往的TFT的情况相比，能提高像素开口率。因此，能实现更明亮的显示。或者，也可以降低背光源的明亮度，能降低功耗。

而且，氧化物半导体TFT的截止漏电流非常小，因此通过将以往采用双栅型的TFT改为采用单栅型就能实现小型化。另外，将截止期间中的保持电压适当地维持比较长的时间。因此，能采用根据使用状况降低工作频率的驱动方式，能不导致闪烁等显示不良地实现功耗的降低。

      现有技术文献      

      专利文献      

专利文献1:特开2008-32899号公报

专利文献2:特开2012-134475号公报

专利文献3:特开2011-100041号公报

专利文献4:特开2011-113081号公报

发明内容

      发明要解决的问题      

然而，根据液晶显示装置的用途的扩大、要求标准，在TFT基板中谋求进一步的高清晰化和高透射率化。

在智能手机等便携用设备中使用的小型、高清晰的显示装置中，根据工艺规则(或者设计规则)，再缩小配线图案的线宽是困难的状况。因此，在更小的像素中像素开口率必然降低，实现高透射率化是不容易的。显示装置的小型化、高清晰化的问题之一是如何能提高像素开口率这一点。

这样，在TFT基板中，有进一步提高像素开口率的问题。本发明是鉴于上述问题完成的，主要目的是提供能适用于小型、高清晰的显示装置的开口率提高的TFT基板。

      用于解决问题的方案