[发明专利]TFT基板

权利要求书

1.一种TFT基板，其特征在于，具备：

基板；

栅极配线和源极配线，其设置在上述基板上；

TFT，其包含与上述栅极配线连接的栅极电极、与上述源极配线连接的源极电极、漏极电极以及半导体层；

透明像素电极，其与上述TFT的上述漏极电极电连接；

透明导电层，其包含与上述TFT的上述漏极电极和上述透明像素电极连接的透明连接部分，上述透明连接部分具有：第1连接部，其作为与上述漏极电极的连接部；以及第2连接部，其设置在与上述第1连接部不同的位置，作为与上述透明像素电极的连接部；以及

透明绝缘层，其配置在上述透明像素电极和上述透明导电层之间，在与上述第2连接部对应的位置具有开口部，

上述第2连接部的至少一部分和上述开口部的至少一部分位于被上述栅极配线和上述源极配线包围的区域内，

构成为，在上述第2连接部中，至少从上述透明连接部分到上述透明像素电极的部分透射光。

2.根据权利要求1所述的TFT基板，

上述透明连接部分形成为岛状，上述第1连接部形成在上述栅极配线上，上述第2连接部的至少一部分在上述第1连接部的附近形成在与上述栅极配线不重叠的位置。

3.根据权利要求1或2所述的TFT基板，

上述透明像素电极和上述第1连接部在从基板法线方向看时至少有一部分不重叠。

4.根据权利要求3所述的TFT基板，

上述透明像素电极在俯视时是矩形，上述透明像素电极的4边中的与上述TFT接近的一侧的1边位于比上述栅极配线靠像素区域侧。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的TFT基板，

还具有设置在上述栅极电极上的栅极绝缘层，

上述源极电极、上述漏极电极以及上述半导体层形成在上述栅极绝缘层上。

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的TFT基板，

还具有覆盖上述TFT的平坦化层，

上述透明连接部分的上述第1连接部位于设置于上述平坦化层的开口部内，

上述透明连接部分的上述第2连接部位于上述平坦化层上。

7.根据权利要求6所述的TFT基板，

上述平坦化层的厚度为1μm以上3μm以下，

上述透明绝缘层的厚度为10nm以上500nm以下。

8.根据权利要求6或7所述的TFT基板，

上述平坦化层由感光性的有机绝缘材料形成，

上述透明绝缘层由无机绝缘材料形成。

9.根据权利要求6至8中的任一项所述的TFT基板，

设置于上述平坦化层的开口部的尺寸为3μm以上10μm以下，设置于上述绝缘层的开口部的尺寸为2μm以上9μm以下，前者大于后者。

10.根据权利要求1至9中的任一项所述的TFT基板，

上述透明绝缘层还具有与上述透明连接部分绝缘的辅助电容形成部分，

上述辅助电容形成部分隔着上述透明绝缘层在与上述透明像素电极之间形成辅助电容。

11.根据权利要求1至10中的任一项所述的TFT基板，

具有：以与上述透明像素电极相对的方式配置的共用电极；以及设置在上述共用电极和上述透明像素电极之间的绝缘层，

上述共用电极与上述透明像素电极和上述漏极电极电绝缘，

上述透明像素电极和上述共用电极中的至少一方具有多个狭缝或者多个细长电极部分，

使得在上述共用电极和上述透明像素电极之间产生倾斜电场。

12.根据权利要求11所述的TFT基板，

上述共用电极具有多个狭缝或者多个细长电极部分，

上述透明像素电极不具有多个狭缝或者多个细长电极部分，

上述共用电极、上述透明像素电极、上述透明绝缘层以及上述透明导电层从上层起按该顺序排列。

13.根据权利要求1至12中的任一项所述的TFT基板，

上述半导体层是氧化物半导体层。