[发明专利]单片式集成RF系统及其制造方法

说明书

技术领域

发明性布置涉及射频(RF)电子系统，且更特定来说涉及提供优异性能、便于制造及小占用面积的用于微波及毫米波通信的RF系统。

背景技术

许多通信系统在高频带中操作。举例来说，已知在高达300GHz的频率下操作的通信系统。用于这些信号的RF信号处理需要例如滤波器及切换装置等各种组件。然而，已知高频率(例如10GHz到300GHz)RF系统的现有布置遭受某些限制。举例来说，针对此类频率所设计的常规滤波器及切换系统通常是基于薄膜技术。此类设计往往具有相对低的功率处置能力。此外，薄膜设计也随着频率增加而遭受性能降级。

可通过利用循序构建工艺来形成三维微结构。举例来说，第7,012,489号及第7,898,356号美国专利描述用于制作同轴波导微结构的方法。这些工艺提供传统薄膜技术的替代方案，但也呈现与其有效用于有利地实施各种RF装置有关的新设计挑战。

发明内容

本发明涉及一种用于构造RF装置的方法。所述方法包含通过以下操作形成第一子组合件：首先在第一衬底的第一表面上沉积包含各自为导电材料及牺牲材料的至少一个层的第一多个层。控制所述第一多个层的沉积以在第一表面上形成环绕所述第一衬底的第一带壁区域的至少第一外围壁。所述第一外围壁远离所述第一表面延伸预定距离以形成第一突沿。进一步控制所述多个层的所述沉积以形成安置于所述第一衬底的所述第一表面上在所述带壁区域内的至少第一信号处理组件。所述方法通过形成第二子组合件而继续。所述第二子组合件的所述形成涉及在第二衬底的第二表面上沉积第二多个层。所述第二多个层包含各自为所述导电材料及所述牺牲材料的至少一个层。控制所述第二多个层的所述沉积以在所述第二表面上在第二带壁区域内形成第二信号处理组件。然后将所述第二子组合件定位于所述第一子组合件上且将所述两个子组合件接合在一起。

本发明还涉及一种包含第一及第二子组合件的射频系统。所述第一子组合件包含安置于第一衬底的第一表面上且布置成第一堆叠的第一多个导电材料层。所述堆叠层形成环绕所述第一衬底的第一带壁区域的至少第一外围壁。所述第一外围壁远离所述第一表面延伸预定距离以形成第一突沿。所述堆叠层还形成安置于所述第一衬底的所述第一表面上在所述带壁区域内的至少第一信号处理组件。所述第二子组合件包含安置于第二衬底的第二表面上的第二多个导电材料层。所述第二多个层布置成第二堆叠以形成安置于第二带壁区域内的至少第二信号处理组件。所述第二子组合件定位于所述第一子组合件上且所述两个子组合件被接合在一起。

附图说明

将参考以下图式来描述实施例，其中在所有各图中，相似编号表示相似物项，且其中：

图1是对于理解本发明有用的形成于衬底上的第一子组合件的俯视图。

图2是对于理解本发明有用的形成于衬底上的第二子组合件的俯视图。

图3是沿着图1中的线3-3截取的第一子组合件的横截面图。

图4是沿着图2中的线4-4截取的第二子组合件的横截面图。

图5是根据组装步骤分别沿着线3-3及线4-4截取的第一及第二子组合件的横截面图。

图6展示根据组装步骤在已将第一及第二子组合件接合在一起之后分别沿着线3-3及线4-4截取的第一及第二子组合件的横截面图。

图7是对于理解可用于第一或第二子组合件中的接地-共面波导(GCPW)到同轴转变有用的图式。

图8A到8C展示本发明的数个替代实施例。

图9是可形成于第一或第二子组合件的衬底上的某些示范性信号处理组件的俯视图。

图10A及10B展示图10中的示范性信号处理组件的透视图。

图11A及11B展示图1到4中的信号处理组件可如何级联于系统中。

图12到21是展示用于构造图1到4中所展示的子组合件的工艺的一系列图式。

具体实施方式