[发明专利]单片式集成RF系统及其制造方法

权利要求书

1.一种用于构造RF装置的方法，其包括：

通过以下操作形成第一子组合件

首先在第一衬底的第一表面上沉积包含至少一个层的第一多个层，所述第一多个层各自为导电材料及牺牲材料；以及

首先控制所述第一多个层的所述沉积以在所述第一表面上形成

至少第一外围壁，其环绕所述第一衬底的第一带壁区域，所述第一外围壁远离所述第一表面延伸预定距离以形成第一突沿，以及

至少一个第一信号处理组件，其安置于所述第一衬底的所述第一表面上在所述带壁区域内；

通过以下操作形成第二子组合件

其次在第二衬底的第二表面上沉积包含至少一个层的第二多个层，所述第二多个层各自为所述导电材料及所述牺牲材料；以及

其次控制所述第二多个层的所述沉积以在所述第二表面上在第二带壁区域内形成至少一个第二信号处理组件；以及

将所述第二子组合件定位于所述第一子组合件上，其中所述第一带壁区域与所述第二带壁区域对准。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括将所述第一多个层及所述第二多个层中的至少一者选择为包含电介质材料的至少一个层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一控制步骤进一步包括在所述第一衬底上形成至少一个导电迹线以形成所述第一信号处理组件与所述第二信号处理组件之间的电连接的至少一部分。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述定位步骤进一步包括将所述第二子组合件悬置于所述突沿上，其中所述第一表面与所述第二表面间隔开。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二控制步骤进一步包括在所述第二表面上形成环绕所述第二带壁区域的至少第二外围壁。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一信号处理组件及所述第二信号处理组件中的至少一者选自由开关及电抗组件组成的群组。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述第一控制步骤及所述第二控制步骤中的至少一者进一步包括形成静电致动器。

8.根据权利要求7所述的方法，其进一步包括在所述第一信号处理组件与所述第二信号处理组件之间形成至少一个电连接以形成可调谐滤波器。

9.一种射频系统，其包括：

第一子组合件，其包含第一多个导电材料层，所述第一多个导电材料层安置于第一衬底的第一表面上且布置成第一堆叠以形成

至少第一外围壁，其环绕所述第一衬底的第一带壁区域，所述第一外围壁远离所述第一表面延伸预定距离以形成第一突沿，以及

至少一个第一信号处理组件，其安置于所述第一衬底的所述第一表面上在所述带壁区域内；

第二子组合件，其包含第二多个导电材料层，所述第二多个导电材料层安置于第二衬底的第二表面上且布置成第二堆叠以形成安置于第二带壁区域内的至少一个第二信号处理组件；且

其中所述第二子组合件定位于所述第一子组合件上，其中所述第一带壁区域与所述第二带壁区域对准。

10.根据权利要求9所述的射频系统，其中所述第二子组合件悬置于所述突沿上，其中所述第一表面与所述第二表面间隔开。