[发明专利]晶格失配异质外延膜

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

衬底，其包括在具有对应于衬底宽度的衬底长轴和对应于衬底高度的衬底短轴的平面中；以及

第一外延(EPI)包覆层，其与第二外延包覆层和第三外延包覆层相邻，所述第一外延包覆层、所述第二外延包覆层和所述第三外延包覆层包括在包括总体上平行于所述衬底长轴的平面长轴并且与所述第一外延包覆层、所述第二外延包覆层和所述第三外延包覆层相交的平面中；

其中，所述衬底包括衬底晶格常数，并且所述第一外延包覆层、所述第二外延包覆层和所述第三外延包覆层的其中之一包括不同于所述衬底晶格常数的晶格常数；

其中，所述第三外延包覆层包括与第二外延包覆材料相同的第三外延包覆材料；

其中，所述第一外延包覆层被掺杂为一种极性，并且所述第二外延包覆层和所述第三外延包覆层被掺杂为与所述第一外延包覆层的所述极性相反的另一种极性；并且

其中，所述第二外延包覆层和所述第三外延包覆层与以下的其中之一距离相等：(a)朝向所述衬底延伸的鳍状物；以及(b)朝向所述衬底延伸的沟槽。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一外延包覆层、所述第二外延包覆层和所述第三外延包覆层包括在双极结型晶体管和闸流管的其中之一中。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一外延包覆层和所述第二外延包覆层直接接触本征外延包覆层的相对的侧壁，并且所述第一外延包覆层和所述第三外延包覆层直接接触另一本征外延包覆层的相对的侧壁。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一外延包覆层包括第一外延包覆材料，并且所述第二外延包覆层包括不同于所述第一外延包覆材料的第二外延包覆材料。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二外延包覆层和所述第三外延包覆层彼此并非成一整体，并且所述第一外延包覆层与所述第二外延包覆层和所述第三外延包覆层中的任一层并非成一整体。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一外延包覆层位于所述第二外延包覆层与所述第三外延包覆层之间。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一外延包覆层、所述第二外延包覆层和所述第三外延包覆层包括在异质结双极晶体管中。

8.一种半导体装置，包括：

衬底，其包括在具有对应于衬底宽度的衬底长轴和对应于衬底高度的衬底短轴的平面中；以及

第一外延(EPI)包覆层，其邻近第二外延包覆层和第三外延包覆层，所述第一外延包覆层、所述第二外延包覆层和所述第三外延包覆层包括在包括总体上平行于所述衬底长轴的平面长轴并且与所述第一外延包覆层、所述第二外延包覆层和所述第三外延包覆层相交的平面中；

其中，所述衬底包括衬底晶格常数，并且所述第一外延包覆层、所述第二外延包覆层和所述第三外延包覆层的其中之一包括与所述衬底晶格常数不相等的晶格常数；

其中，所述第二外延包覆层和所述第三外延包覆层与以下的其中之一距离相等：(a)朝向所述衬底延伸的鳍状物；以及(b)朝向所述衬底延伸的沟槽。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述第三外延包覆层包括与第二外延包覆材料相同的第三外延包覆材料。

10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述第一外延包覆层被掺杂为一种极性，并且所述第二外延包覆层和所述第三外延包覆层被掺杂为与所述第一外延包覆层的所述极性相反的另一种极性。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，所述第一外延包覆层、所述第二外延包覆层和所述第三外延包覆层包括在双极结型晶体管和闸流管的其中之一中。

12.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，所述第一外延包覆层和所述第二外延包覆层直接接触本征外延包覆层的相对的侧壁，并且所述第一外延包覆层和所述第三外延包覆层直接接触另一本征外延包覆层的相对的侧壁。

13.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述第一外延包覆层包括第一外延包覆材料，并且所述第二外延包覆层包括不同于所述第一外延包覆材料的第二外延包覆材料。