[发明专利]平板玻璃的制造方法和平板玻璃的制造装置有效
申请号: | 201380060635.4 | 申请日: | 2013-10-04 |
公开(公告)号: | CN104797538B | 公开(公告)日: | 2016-11-30 |
发明(设计)人: | 泷口哲史;木下高弘 | 申请(专利权)人: | 旭硝子株式会社 |
主分类号: | C03B18/16 | 分类号: | C03B18/16;C03B5/43 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 杨海荣;穆德骏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 平板玻璃 制造 方法 装置 | ||
技术领域
本发明涉及平板玻璃的制造方法和平板玻璃的制造装置。
背景技术
平板玻璃的制造装置将熔融玻璃连续地供给至浮抛窑内的熔融锡上,使其向下游方向流动而形成带板状的玻璃带。浮抛窑内的空间通过间隔壁(前过梁(front lintel))而隔成下游侧的主空间和上游侧的流道出口(spout)空间。主空间比流道出口空间充分地大,且为了防止熔融锡的氧化而由还原性气体充满。
该平板玻璃的制造装置为通过配置在流道出口空间中的流道出口唇板而将熔融玻璃供给至浮抛窑内的熔融锡上。供给至熔融锡上的熔融玻璃形成向下游方向流动的主流(前流(front flow))和朝向以空出间隔的方式设置于流道出口唇板的下方的砖逆流的支流(回流(back flow))。通过埋设在砖的内部的发热体,将熔融锡上的熔融玻璃加热(例如参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2007-131525号公报
发明内容
发明所要解决的课题
如果发热体埋设在砖的内部,则在砖被熔融玻璃或熔融锡侵蚀时,有时发热体的成分在熔融玻璃等中溶出。而且,如果发热体埋设在砖的内部,则难以仅更换发热体。
因此,考虑在砖的外部设置发热体,但是在这种情况下,从熔融玻璃蒸发的成分等会附着于发热体的表面。如果该附着物落于熔融锡上的熔融玻璃处,则成为玻璃的破裂或缺陷的原因。另外,在将发热体设置在砖的外部的情况下,发热体与周边气氛发生反应而逐渐劣化。
本发明是鉴于上述课题而完成的,其目的在于提供一种能够抑制发热体的附着物落于熔融锡上的熔融玻璃处,且能够抑制发热体的劣化的平板玻璃的制造方法和平板玻璃的制造装置。
用于解决课题的技术手段
为了解决上述课题,根据本发明一个方式的平板玻璃的制造方法,将熔融玻璃从流道出口唇板连续地供给至浮抛窑内的熔融锡上,且使与以空出间隔的方式设置于所述流道出口唇板的下方的砖接触的熔融玻璃在所述熔融锡上流动,其中
使用发热体加热所述砖,该发热体设置于所述流道出口唇板与所述砖之间,且设置于比所述砖的与熔融玻璃的接触面的更上游侧,
而且,向所述流道出口唇板与所述砖之间的间隙空间吹入惰性气体。
另外,根据本发明另一方式的平板玻璃的制造装置,其包含:
流道出口唇板,其将熔融玻璃连续地供给至浮抛窑内的熔融锡上;
砖,其以空出间隔的方式设置于该流道出口唇板的下方,且与从所述流道出口唇板供给的熔融玻璃接触;
发热体,其设置于所述流道出口唇板与所述砖之间,且设置于比所述砖的与熔融玻璃的接触面更上游侧;以及
惰性气体供给部,其向所述流道出口唇板与所述砖之间的间隙空间吹入惰性气体。
发明效果
根据本发明的一个方式,提供一种能够抑制发热体的附着物落于熔融锡上的熔融玻璃处,且能够抑制发热体的劣化的平板玻璃的制造方法和平板玻璃的制造装置。
附图说明
图1为表示第1实施方式中的平板玻璃的制造装置的主要部分的剖面图。
图2为示意性地表示图1的熔融锡上的熔融玻璃的流动的俯视图。
图3为表示第2实施方式中的平板玻璃的制造装置的主要部分的剖面图。
具体实施方式
以下,参照附图对用于实施本发明的方式进行说明。需要说明的是,在各附图中,对于相同或对应的构成赋予相同或对应的符号并省略其说明。在各附图中,箭头A方向表示下游方向,箭头B方向表示上游方向。
(第1实施方式)
图1为表示第1实施方式中的平板玻璃的制造装置的主要部分的剖面图。图2为示意性地表示图1的熔融锡上的熔融玻璃的流动的俯视图。
如图1所示,平板玻璃的制造装置将熔融玻璃30连续地供给至浮抛窑10内的熔融锡20上,且使供给的熔融玻璃30在熔融锡20上流动而成形为带板状的玻璃带30A。成形后的玻璃带30A在浮抛窑10的下游区域中被从熔融锡20提起,且被运送至缓慢冷却炉内,缓慢冷却后切断为特定的尺寸,而成为平板玻璃。
浮抛窑10内的空间11通过间隔壁(前过梁)17而隔成下游侧的主空间111和上游侧的流道出口空间112。主空间111比流道出口空间112充分地大。
在主空间111中,为了防止熔融锡20的氧化,供给还原性气体。还原性气体例如可为氮气与氢气的混合气体,且包含85体积%~98.5体积%的氮气、1.5体积%~15体积%的氢气。
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