[发明专利]树脂片

说明书

技术领域

本发明涉及树脂片。

背景技术

近年来，LSI的安装技术中，CSP(Chip Size/Scale Package)技术受到关注。该技术之中，以WLP(Wafer Level Package)为代表的不使用常规电路基板的仅芯片的形态的封装是在小型化和高集成方面尤其受到关注的封装形态之一。作为WLP的制造方法，可以举出使布线电路基板的导体部分与半导体芯片的电极位置对应并将两者连接的方法。

上述布线电路基板由于其挠性的性质，在芯片安装等的制造工序中的可操作性不好。因此，以往，如专利文献1、2等所示的那样，使用如下方法：首先，在支承基板上形成挠性的布线电路基板而制成具有适当刚性的该布线电路基板，在改善了工序中的可操作性的状态下进行芯片安装，在将作为刚性体的芯片安装后除去支承基板。

与仅露出电极焊盘的裸片相比，芯片安装于布线电路基板且将支承基板除去后的状态的半导体装置是具备易于进行与外部导体(外部电路等)的连接或安装的连接用导体的一种半导体装置。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2000-349198号公报

专利文献2：日本特开2001-44589号公报

发明内容

发明要解决的问题

上述布线电路基板可以通过对在支承体上形成有基底绝缘层的基底材料应用半加成法、减成法等以往公知的电路基板或内插器的制造技术来形成。然而，这种方法中，由于使用各种溶剂，因而期望基底绝缘层的高溶剂耐性。

用于解决问题的手段

本申请发明人等为了解决上述以往的问题点，对用于形成布线电路基板的树脂片进行了研究。其结果发现，通过采用下述的构成，能够提高耐溶剂性，从而完成了本发明。

即，本发明涉及的树脂片的特征在于，是用于形成可与形成于半导体芯片上的电极连接的布线电路基板的树脂片，

所述树脂片在180℃进行1小时热固化后，在20℃以上且25℃以下的甲乙酮中浸渍2400秒钟后的重量减少率为1.0重量％以下。

根据上述构成，树脂片在180℃进行1小时热固化后，在20℃以上且25℃以下的甲乙酮中浸渍2400秒钟后的重量减少率为1.0重量％以下。在20℃以上且25℃以下的甲乙酮中浸渍2400秒钟后的重量减少率为1.0重量％以下，因此可以说在甲乙酮中的溶出受到了抑制。因此，若使用在甲乙酮中的溶出受到抑制且具有耐溶剂性的上述树脂片，则能够制造精度高的布线电路基板。

上述构成中，优选在180℃进行1小时热固化后，在20℃以上且25℃以下的0.5重量％氢氟酸中浸渍60秒后的重量减少率为1.0重量％以下。上述布线电路基板的制造中有时使用酸(例如氢氟酸)。若热固化后在20℃以上且25℃以下的0.5重量％氢氟酸中浸渍60秒后的重量减少率为1.0重量％以下，则还具有耐酸性。其结果，如果使用上述树脂片，则能够制造精度更高的布线电路基板。

上述构成中，优选在180℃进行1小时热固化后，在20℃以上且25℃以下的3.0重量％的四甲基氢氧化铵水溶液中浸渍240秒后的重量减少率为1.0％重量以下。上述布线电路基板的制造中有时使用碱(例如四甲基氢氧化铵水溶液)。若热固化后在20℃以上且25℃以下的3.0重量％的四甲基氢氧化铵水溶液中浸渍240秒后的重量减少率为1.0％重量以下，则还具有耐碱性。其结果，如果使用上述树脂片，则能够制造精度更高的布线电路基板。

附图说明

图1是本实施方式涉及的树脂片的剖面示意图。

图2是用于对本实施方式涉及的半导体装置的制造方法进行说明的剖面示意图。

图3是用于对本实施方式涉及的半导体装置的制造方法进行说明的剖面示意图。

图4是用于对本实施方式涉及的半导体装置的制造方法进行说明的剖面示意图。

图5是用于对本实施方式涉及的半导体装置的制造方法进行说明的剖面示意图。

图6是用于对本实施方式涉及的半导体装置的制造方法进行说明的剖面示意图。

图7是用于对本实施方式涉及的半导体装置的制造方法进行说明的剖面示意图。

图8是用于对本实施方式涉及的半导体装置的制造方法进行说明的剖面示意图。

图9是用于对本实施方式涉及的半导体装置的制造方法进行说明的剖面示意图。

图10是用于对本实施方式涉及的半导体装置的制造方法进行说明的剖面示意图。

图11是用于对本实施方式涉及的半导体装置的制造方法进行说明的剖面示意图。