[发明专利]收容容器、收容容器的制造方法、半导体的制造方法以及半导体制造装置

说明书

技术领域

本发明主要涉及对单晶SiC基板的表面进行蚀刻时收容该单晶SiC基板的收容容器。

背景技术

与Si(硅)等相比，SiC(碳化硅)具有优异的耐热性和机械强度，故而作为新的半导体材料而受到瞩目。然而，单晶SiC基板的表面最初可能存在结晶缺陷等。

专利文献1公开了对该单晶SiC基板的表面进行平坦加工(修复)的表面平坦加工方法。该表面平坦加工方法是，藉由在被收容容器所收容的单晶SiC基板上形成碳化层以及牺牲生长层，并对该牺牲生长层进行蚀刻而使表面平坦。由此，能够生产外延生长用的高质量晶种基板。

此外，在形成牺牲生长层时等，有必要进行Si蒸汽压力下的加热处理。专利文献1中，为了形成Si蒸汽压力而采用了图6所示的收容容器。如图6所示，收容单晶SiC基板94的收容容器90具有能够相互嵌合的上容器91和下容器92。上容器91和下容器92中，构成其内部空间部分的壁面上，固着有Si93。基于该结构，加热处理时Si93蒸发，能够在收容容器90的内部空间内形成Si蒸汽压力。

一般情况下，对如上所述生产的晶种进行外延生长、离子注入以及离子激活等处理。

专利文献2公开了一种藉由在单晶SiC基板的表面形成碳层(石墨盖)之后进行上述离子激活，而抑制离子激活时的Si和SiC的升华的方法。其后，该方法为了去除碳层，并去除离子注入不足部分，而在Si蒸汽压力下对单晶SiC基板的表面进行蚀刻。此外，专利文献2公开了为了形成Si蒸汽压力，而在收容容器中配置Si颗粒的方法。

现有技术文献

【专利文献1】：日本特开2008-230944号公报

【专利文献2】：日本特开2011-233780号公报

发明内容

发明所要解决的课题

然而，如用专利文献1的方式，将Si固着在内部空间的壁面上，则加热处理时该Si有时会熔化。尤其是，如内部空间的上方的壁面上固着的Si熔化，则Si会落到单晶SiC基板上。而如不将Si固着在内部空间的上方的壁面上，则Si的压力分布会不均匀，从而无法恰当地进行加热处理。

此外，专利文献2是在收容容器的内部配置Si颗粒，但该方法也会使Si的压力分布不均匀，不能恰当进行加热处理。因而，专利文献1以及专利文献2中，不能均匀地进行蚀刻。

此外，专利文献2中，需要形成碳层的工序以及去除碳层的工序，因而工序繁琐。

本发明是鉴于上述情况而做出的发明，其主要目的在于，提供一种Si不会落到单晶SiC基板上，且能使其内部空间内的Si的压力分布均匀的收容容器。

用于解决课题的技术手段和效果

本发明所要解决的课题如上所述，以下对用于解决该课题的技术手段和其效果进行说明。

根据本发明的第1观点，对用于收容藉由Si的蒸汽压力下的加热处理而被蚀刻的单晶SiC基板的收容容器，提供以下结构。即，该收容容器由钽金属构成，且在内部空间側设置有碳化钽层，该碳化钽层的更靠内部空间側设置有硅化钽层。

如以往一样将Si固着在收容容器内面上来进行Si的供给的结构会因Si熔化而对单晶SiC基板产生不良影响，但是，以本申请的方式，利用硅化钽层来在内部空间进行Si的供给，便能防止不良影响。

上述收容容器中，优选的是，被收容的上述单晶SiC基板的至少上方的壁面上，设置有上述硅化钽层。

由此，能够防止熔化后的Si落到单晶SiC基板上，同时能够形成Si蒸汽压力。

上述收容容器中，优选的是，形成内部空间的壁面的整体上，均设置有上述硅化钽层。

由此，能使内部空间内的Si的压力均匀，所以能够均匀地进行蚀刻。

优选的是，上述收容容器被用于，在将注入离子后的上述单晶SiC基板的表面的离子注入不足部分去除的蚀刻工序中收容上述单晶SiC基板。

由此，在去除离子注入不足部分的蚀刻工程中，上述功效能够得到发挥。另外，藉由使内部空间的Si的压力均匀，能够抑制单晶SiC基板的碳化，所以，不用形成碳化层(石墨盖)便能进行离子激活处理。

优选的是，上述收容容器被用于，在对形成外延层之前的上述单晶SiC基板进行的蚀刻工序中收容上述单晶SiC基板。

由此，在外延层形成前的蚀刻中，能够使上述功效得到发挥。

上述收容容器中，优选的是，上述硅化钽层的厚度被设定为，1μm到300μm。

藉由设置上述厚度的硅化钽层，既能充分确保在内部空间供给的Si，又能够恰当地防止收容容器的破裂。