[发明专利]收容容器、收容容器的制造方法、半导体的制造方法以及半导体制造装置在审
| 申请号： | 201380059730.2 | 申请日： | 2013-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN104854678A | 公开（公告）日： | 2015-08-19 |
| 发明（设计）人： | 鸟见聪;矢吹纪人;野上晓 | 申请（专利权）人： | 东洋炭素株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;C30B29/36;C30B33/12;H01L21/02;H01L21/20;H01L21/302 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;谢弘 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 收容 容器 制造 方法 半导体 以及 装置 | ||
1.一种收容容器，用于收容藉由Si的蒸汽压力下的加热处理而被蚀刻的单晶SiC基板，其特征在于:
上述收容容器由钽金属构成，且在其内部空间側设置有碳化钽层，该碳化钽层的更靠内部空间側设置有硅化钽层。
2.如权利要求1所述的收容容器，其特征在于:
在被收容的上述单晶SiC基板的至少上方的壁面上，设置有上述硅化钽层。
3.如权利要求1所述的收容容器，其特征在于:
形成其内部空间的壁面的整体上，均设置有上述硅化钽层。
4.如权利要求1所述的收容容器，其特征在于:
该收容容器被用于，在将注入离子后的上述单晶SiC基板的表面的离子注入不足部分去除的蚀刻工序中收容上述单晶SiC基板。
5.如权利要求1所述的收容容器，其特征在于:
该收容容器被用于，在对形成外延层之前的上述单晶SiC基板进行的蚀刻工序中收容上述单晶SiC基板。
6.如权利要求1所述的收容容器，其特征在于:
上述硅化钽层的厚度被设定为，1μm到300μm。
7.如权利要求1所述的收容容器，其特征在于:
上述硅化钽层由TaSi2构成。
8.一种收容容器的制造方法，该收容容器用于收容藉由Si的蒸汽压力下的加热处理而被蚀刻的单晶SiC基板，其特征在于，包括:
在使构成收容容器的一部分的碳化钽层接触熔化后的Si的状态下进行加热而形成硅化钽层的工序。
9.一种半导体的制造方法，其特征在于:
使用权利要求1所述的收容容器，藉由在Si蒸汽压力下的加热处理而进行蚀刻。
10.一种半导体制造装置，其特征在于:
具有权利要求1所述的收容容器。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
