[发明专利]层积膜在审

专利信息
申请号: 201380059514.8 申请日: 2013-11-14
公开(公告)号: CN104798153A 公开(公告)日: 2015-07-22
发明(设计)人: 高明天;小松信之;硲武史;仲村尚子;横谷幸治;太田美晴;茂内普巳子;立道麻有子;木下雅量 申请(专利权)人: 大金工业株式会社
主分类号: H01G4/18 分类号: H01G4/18;B32B15/08;B32B27/30
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 庞东成;褚瑶杨
地址: 日本大阪*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 层积
【说明书】:

[技术领域]

本发明涉及一种层积膜。

[背景技术]

伴随着近年来晶体管、二极管等的小型化,膜电容器等电容器也需要小型化,可是电容器的静电容量是和电极面积成比例的,不降低其静电容量就达到小型化的目的并非易事。

作为用于使膜电容器小型化的方法,可以举出增大电介质的介电常数的方法;减薄电介质厚度的方法。

例如,专利文献1中记载了一种卷绕型电容器的制造方法,其中,在导电性薄膜上涂布介电性有机物质的熔融液、溶液等,形成介电性微薄膜,将得到的两张以上的层积体卷绕,使导电性薄膜和介电性薄膜交替叠置。

此外,专利文献2中记载了一种层积膜,其以有机高分子组合物形成的可挠性膜为基材,并具有下述结构:在其单面或者双面上层积由金属薄膜形成的电极层,进一步在该电极层的单面或者双面层积由高介电薄膜形成的电介质层。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本特开昭56-21310号公报

[专利文献2]日本特开昭59-135714号公报

[发明内容]

[发明要解决的课题]

本发明目的在于提供一种能够增大静电容量的层积膜。

[解决课题的方法]

本发明的层积膜是依次层积第一电极层、树脂基材、第二电极层以及电介质层而成的层积膜,其特征在于,上述电介质层含有偏氟乙烯/三氟乙烯的共聚物(A),所述共聚物(A)中,偏氟乙烯/三氟乙烯的摩尔比为97/3~60/40。

上述共聚物(A)中,优选偏氟乙烯/三氟乙烯的摩尔比为95/5~75/25。

上述电介质层优选厚度为0.1~12μm。

上述树脂基材优选是选自由聚烯烃、聚酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚砜以及聚苯砜组成的组中的至少一种树脂膜。

上述树脂基材优选厚度为0.5~15.0μm。

本发明还涉及具有上述层积膜的膜电容器。

[发明效果]

本发明的层积膜具有上述结构,由此能增大静电容量。

[附图说明]

[图1]图1是表示本发明的层积膜的结构的截面示意图。

[图2]图2是表示本发明的层积膜的结构的截面示意图。

[具体实施方式]

本发明的层积膜是依次层积第一电极层、树脂基材、第二电极层以及电介质层而成的层积膜,上述电介质层含有偏氟乙烯(VdF)/四氟乙烯(TFE)共聚物(A),所述共聚物(A)中,VdF/TFE的摩尔比为97/60~3/40。

本发明的层积膜具有上述层积结构并且上述电介质层是含有特定的VdF/TFE共聚物(A)的层,因此其电介质层的介电常数高,能增大静电容量。

下文对本发明进行详细说明。

本发明的层积膜依是次层积第一电极层、树脂基材、第二电极层以及电介质层而成的层积膜。

图1和图2是表示本发明中层积膜的结构的截面示意图。

如图1所示,本发明的层积膜中,第一电极层13、树脂基材12、第二电极层11以及电介质层10被依次层积。

如图2所示,本发明的层积膜中,层积的第一电极层23、树脂基材22、第二电极层21以及电介质层20可以部分不重合。

作为第一电极层及第二电极层的材料,对其无特殊限制,通常使用铝、锌、金、铂、铜等导电性金属。第一电极层及第二电极层可以是金属箔或者蒸镀金属被膜。

在本发明中,可以使用金属箔和蒸镀金属被膜中的任一方,也可以两种合用。蒸镀金属被膜能够使电极层变薄,从而相对体积来讲增大静电容量;与电介质的密合性优异;厚度偏差小,从此等角度出发,通常优选蒸镀金属被膜。

蒸镀金属被膜并不仅限于一层,可以根据需要采用多层,例如为了使其具有耐湿性,而在铝膜上进一步形成半导体氧化铝膜以此作为电极层的方法(例如日本特开平2-250306号公报等)等。对蒸镀金属被膜的厚度也没有特殊规定,但优选在100~2000埃,更优选在200~1000埃的范围。蒸镀金属被膜的厚度在此范围时,兼具电传导性和膜的耐电压的提高,因此是适合的。

使用蒸镀金属被膜作为电极层的情况下,对被膜的形成方法没有特殊规定,例如可采用真空蒸镀法、等离子体法、溅射法、离子镀法等。从生产性的角度出发,优选真空蒸镀法、等离子体法和溅射法。

第一电极层和/或第二电极层使用金属箔的情况下,对金属箔的厚度也无特殊规定,但通常在0.1~100μm,优选在1~50μm,更优选在3~15μm范围。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大金工业株式会社,未经大金工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380059514.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top