[发明专利]用于电容耦合或传导性耦合的双重连接件接口有效

专利信息
申请号: 201380057920.0 申请日: 2013-09-12
公开(公告)号: CN104823339B 公开(公告)日: 2017-08-18
发明(设计)人: K·范斯韦林根;R·瓦卡罗;J·佩因特;M·格林 申请(专利权)人: 康普技术有限责任公司
主分类号: H01R24/28 分类号: H01R24/28
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 代理人: 白皎
地址: 美国北卡*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 电容 耦合 传导性 双重 连接 接口
【说明书】:

技术领域

本发明涉及电缆连接件。更具体地,本发明涉及具有互连接口的同轴连接件,该互连接口能够选择性地与在连接接口的信号传导部分之间存在传导耦合或电容耦合连接。

背景技术

同轴电缆广泛用于射频通信系统。同轴电缆连接件可以用于终接同轴电缆,例如在需要高等级的精确度和可靠性的通信系统中。

连接件接口在端接有具有期望的连接件接口的连接件的电缆和具有安装在装置或另外的电缆上的配合的连接件接口的相应连接件之间提供连接功能和断开功能。现有的同轴连接件接口典型地使用设置为螺纹耦合螺母的保持器,当旋转地保持在一个连接件上的耦合螺母被拧入另一连接件时,该保持器将连接件接口对引导到可靠的传导性机电接合位置。

无源互调失真(PIM)是一种电干扰/信号传输退化,这种退化可能在缺少对称互连和/或由于机电互连移位或超时退化而发生,例如由于机械应力、振动、热循环和/或材料退化。无源互调失真是重要的互连质量特征,这是由于由单体低质量互连产生的无源互调失真可能降低整个射频系统的电气性能。

射频同轴连接件设计的最新进展集中在通过改善同轴电缆导体与连接件主体和/或内部接触件之间的互连减少无源互调失真,例如通过应用分子键取代机电互连,正如共有美国专利申请公布说明书2012/0129391(题目为"Connector and Coaxial Cable with Molecular Bond Interconnection",作者为Kendrick Van Swearingen和James P.Fleming,公开日期为2012年5月24日)中所公开的内容,并且该专利的内容通过引用而作为整体并入本说明书中。

电缆连接件市场中的竞争聚焦于改善互连性能和互连的长期可靠性。另外,减少整体开销,包括材料开销、串联开销和安装开销对于商业的成功也是重要因素。

发明内容

本发明的目的在于提供一种同轴连接件和互连方法,该同轴连接件和互连方法能克服现有工艺中的缺陷。

附图说明

附图并入并且构成本说明书的一部分,说明了本发明的实施例,其中附图中相同的附图标记表示相同的特征或元件,并且可能不是对每幅图中出现的附图标记都做了详细说明,结合本发明的上述大体说明,本发明的实施例的详细描述将如下给出,用来解释本发明的原理。

图1是与传导性凸头部分互连的凹头部分的示例实施例的示意性侧视图。

图2是图1中的互连沿线A-A的示意性剖视图。

图3是与电容耦合凸头部分互连的凹头部分的示例实施例的示意性侧视图。

图4是图3中的互连方式沿线A-A的示意性局部剖视图。

图5是电容耦合凸头部分和凹头部分的示意性局部等比例剖视分解图,示出了内部和外部接触电介质隔离部。

图6是凸头部分和凹头部分的示意性局部等比例剖视分解图,示出了可选择的内部和外部接触电介质隔离部。

具体实施方式

连接件接口的接触部分无源互调失真的减少已经被解决,方法是在这些表面之间应用电容耦合,正如在共有美国专利申请公布说明书2013/0065420(题目为"Connector with Capacitively Coupled Connector Interface",作者为Kendrick Van Swearingen,James P.Fleming,Jeffrey D.Paynter和Ronald A.Vaccaro,公开日期为2013年3月14日)中所公开的内容,并且该专利的内容通过引用而作为整体并入本说明书中。发明人发现电缆连接件的市场中已经在连接件、电缆和为标准机电耦合接口配置的设备例如7/16DIN同轴连接件接口中进行了大量的投资,这会妨碍采用借助于连接件接口的电容耦合而得到的无源互调失真减少的改善。

图1到图6示出了具有适合于与标准传导性机电接口连接件或者电容耦合连接件接口连接件互连的连接接口的同轴连接件的示例性实施例。

同轴连接件对的凸头部分2适合于匹配常规连接接口,这里示出了具有平面基底3的面板可安装7/16DIN标准同轴接口,其中凹头的内部接触件4为弹簧篮6,其被同轴支承在具有圆筒形外导体接触表面10的凹头连接件主体8的内部,圆筒形外部导体接触面的外径提供朝向凹头连接接口18的接口端部16开口的环形外部导体槽14的内部侧壁12。

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