[发明专利]包括无机套环的导电互连

权利要求书

1.一种导电互连，包括：

半导体基板上的导电支承层；

所述导电支承层上的导电材料；以及

无机套环，所述无机套环部分地包围所述导电材料，被布置在所述导电支承层的侧壁上，并且直接与所述半导体基板接触，其中所述无机套环被配置成在蚀刻导电籽晶层以形成所述导电支承层期间保护所述导电支承层和所述导电材料免受过度蚀刻，其中所述无机套环由被配置成响应于热处理而变成无机的一种类型的光敏旋涂介电材料制成。

2.如权利要求1所述的导电互连，其特征在于，所述无机套环包括二氧化硅。

3.如权利要求1所述的导电互连，其特征在于，所述无机套环由在热处理后转变为无机材料的一种类型的有机材料制成。

4.如权利要求1所述的导电互连，其特征在于，所述导电互连耦合到封装基板的接触焊盘。

5.如权利要求1所述的导电互连，其特征在于，所述导电材料包括被布置为导电柱的导电材料堆叠。

6.如权利要求1所述的导电互连，其特征在于，所述半导体基板用于微机电系统(MEMS)器件。

7.如权利要求1所述的导电互连，其特征在于，所述半导体基板用于倒装芯片器件。

8.如权利要求1所述的导电互连，其特征在于，所述导电互连被集成到机顶盒、娱乐单元、导航设备、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元和/或固定位置数据单元中。

9.如权利要求1所述的导电互连，其特征在于，所述导电互连被集成到移动电话、音乐播放器、视频播放器、和/或计算机中。

10.一种制造导电互连的方法，包括：

在半导体基板上沉积导电籽晶层；

在所述导电籽晶层上制造导电材料；

形成有机套环以部分地包围所述导电材料；

蚀刻所述导电籽晶层以形成导电支承层；以及

加热所述导电互连以将所述有机套环转变为部分地包围所述导电材料的无机套环，其中所述无机套环被布置在所述导电支承层的侧壁上并且直接与所述半导体基板接触。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，形成所述有机套环包括：

在所述导电材料上沉积光敏旋涂电介质材料；以及

图案化所述光敏旋涂电介质材料。

12.如权利要求10所述的方法，其特征在于，形成所述导电籽晶层包括在所述半导体基板上沉积所述导电籽晶层。

13.如权利要求10所述的方法，其特征在于，制造所述导电材料包括：

在所述导电支承层上沉积第一导电层；

在所述第一导电层上沉积第二导电层；以及

在所述第一导电层和所述第二导电层之间沉积势垒层以形成导电材料堆叠。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，进一步包括在所述加热期间使所述导电材料堆叠的第二导电层回流。

15.如权利要求10所述的方法，其特征在于，进一步包括：将所述导电互连集成到机顶盒、娱乐单元、导航设备、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元和/或位置固定的数据单元中。

16.如权利要求10所述的方法，其特征在于，进一步包括：将所述导电互连集成到移动电话、音乐播放器、视频播放器、和/或计算机中。