[发明专利]用于动态存储器功率管理的系统和方法有效
申请号: | 201380056658.8 | 申请日: | 2013-07-19 |
公开(公告)号: | CN104769520A | 公开(公告)日: | 2015-07-08 |
发明(设计)人: | H-J·罗;A·塔哈;D·T·全 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | G06F1/32 | 分类号: | G06F1/32 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 张扬;王英 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 动态 存储器 功率 管理 系统 方法 | ||
背景技术
便携式计算设备(“PCD”)在个人和专业层次上正在变成人们的必需品。这些设备可以包括蜂窝电话、便携式数字助理(“PDA”)、便携式游戏控制台、掌上计算机以及其它便携式电子设备。由于PCD依赖有限容量的电源(例如电池),因此电源的节约与用户所体验的整体服务质量(“QoS”)紧密相关。也就是说,在PCD中有效利用电力资源可以减少该用户必须对电池再充电的频率。
大多数用户并不会一直使用他们的PCD,因此对PCD来说,长时间段地保持在空闲、睡眠或待机模式是普遍的。重要的是,在这些睡眠时段期间,即使在“空闲”模式时,PCD仍以睡眠电流的形式消耗着功率。PCD的睡眠电流是与该PCD内的各种组件相关联的泄漏速率的总和,包括定期地自刷新易失性存储器组件(例如动态随机存取存储器(“DRAM”))所需要的电流。该自刷新操作(其不顾该PCD的功率节省睡眠模式)以某一间隔自动地执行,并且当该PCD空闲时,该自刷新操作对保持数据完整性是必要的。
易失性存储器组件的自刷新操作代表了PCD的睡眠电流的显著部分,因此,其对处于空闲状态时的PCD可能经历的显著的功率消耗量负责。事实上,随着PCD中的存储器持续增加大小,需要自刷新该存储器的电流也随之增大,从而进一步增加了有限电源的负担。因此,在本领域中需要用于减轻维持处于空闲模式的PCD的易失性存储器部件中的数据完整性所需要的电流的量的系统或方法。
发明内容
公开了便携式计算设备(“PCD”)中的用于基于硬件(“HW”)和/或软件(“SW”)的动态存储器管理的方法和系统的各种实施例。一种示例性的方法包括:在存储器组件(例如非易失性闪速存储器组件)中生成存储器页面查找表(LUT)。所述LUT可以包括针对位于跨易失性存储器(例如DRAM)的多个部分的每一个存储器页面的记录。如本领域中理解的,可以将所述DRAM分成(多个)部分,例如上部存储体和下部存储体。
在PCD处于活动状态时,更新所述LUT中的记录,以保持对所述PCD访问的那些存储器页面的追踪,从而指示数据内容存储在给定的存储器页面中。类似地,通过更新所述LUT,还追踪那些不包含数据内容的存储器页面。当PCD进入睡眠状态以节省能量时,可以查询所述LUT以确定易失性存储器的第一部分(例如,上部存储体)中的哪些存储器页面包含数据内容,以及易失性存储器的第二部分(例如,下部存储体)中的哪些页面可用于内容的接收。特别地,根据实施例,被识别为可用于内容的接收的页面可能是由于以下原因而被如此识别的:它们目前不包含任何数据,或可替代地,包含“陈旧的”并且符合被重写的数据。
基于该查询,辨别出上部存储体中的存储器页面中的数据的位置,并且可以将其迁移至下部存储体中的、被识别为用于数据的接收的存储器页面。一旦被迁移,则可以将所述上部存储体断电,从而通过避免功耗来减少睡眠电流基数(sleep current floor),所述功耗本来是需要用于自刷新所述上部存储体的。有利的是,由于利用该LUT来快速地辨别出上部存储体中的、包含数据的特定存储器页面,以及下部存储体中的、符合接收数据的特定存储器页面,因此将所需要进行该迁移的时间保持在最小。这样,本领域普通技术人员将认识到:PCD必须保持在休眠状态而上部存储体被断电以获得净功率节省的时间量被最小化了。
附图说明
在附图中,除非另有指示,否则相似的附图标记在各个图中指代相似的部分。对于具有字母字符标示的附图标记,例如“102A”或“102B”,该字母字符标示可以区分同一附图中出现的两个相似的部分或元件。当附图标记旨在涵盖所有附图中具有相同附图标记的所有部分时,可以省略针对附图标记的字母字符标示。
图1是示出了片上系统的实施例的功能框图,所述片上系统通过基于硬件(“HW”)和/或软件(“SW”)的页面迁移,用于便携式计算设备(“PCD”)中的动态存储器功率管理;
图2A是示例性存储器页面查找表(“LUT”)的图示,其示出了在一些量的内容从示例性上部存储器存储体进行页面迁移的之前和之后,所述内容的量小于或等于示例性下部存储器存储体中的可用空间的量;
图2B是与图2A的“之前”表相关的、存储器组件中的示例性上部存储体和下部存储体的图示;
图2C是与图2A的“之后”表相关的、存储器组件中的示例性上部存储体和下部存储体的图示;
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