[发明专利]电致发光基板及其制造方法、电致发光显示面板、电致发光显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及具备电致发光元件和电容器部以及与该电致发光元件和电容器部分别电连接的晶体管的电致发光基板及其制造方法、以及具备上述电致发光基板的电致发光显示面板和电致发光显示装置。

背景技术

近年来，在各种商品和领域中利用平板显示器。作为这样的平板显示器中使用的贴合基板之一，例如已知有EL(电致发光)显示面板。

EL(有机EL、无机EL)显示面板中使用的EL基板，具有在设置有TFT(薄膜晶体管)等晶体管的基板上设置有与该晶体管电连接的EL元件(有机EL元件或者无机EL元件)的结构。

在EL基板上，为了对各像素输出各种信号，设置有多个栅极线和多个源极线以及多个驱动电源线，在由这些栅极线、源极线、驱动电源线包围的各像素，设置有开关晶体管、驱动晶体管、Cs(电容器)部和EL元件。

这些开关晶体管、驱动晶体管、Cs部和EL元件各自具有多层构造，为了形成各层，需要分别进行使用光掩模的光刻工序。

此外，在以下，作为EL基板的制造方法，列举有机EL基板的制造方法为例进行说明。

图18的(a)～(i)是将专利文献1中记载的有机EL显示面板的制造工序的一部分按工序顺序表示的截面图。

在专利文献1中，首先，如图18的(a)所示，在绝缘基板301上形成整面状的栅极金属302。

然后，通过使用第一光掩模对栅极金属302进行图案化，如图18的(b)所示，形成由栅极金属302形成的栅极电极302G、信号线302L、和未图示的Cs(电容器)部的下部电极。接着，在上述绝缘基板301上，以覆盖栅极电极302G和信号线302L的方式，整面状地形成栅极绝缘膜303、由非晶硅或者多晶硅形成的半导体层304、由氮化硅或者氧化硅形成的绝缘层305。

接着，如图18的(c)所示，通过使用第二光掩模对绝缘层305进行图案化，形成沟道保护膜305a。

然后，如图18的(d)所示，在上述半导体层304上，以覆盖沟道保护膜305a的方式整面状地形成n⁺硅层306。接着，使用第三光掩模，在接触孔形成位置的栅极绝缘膜303、半导体层304和n⁺硅层306形成孔，使得栅极金属302露出。

然后，如图18的(e)所示，整面状地形成源极金属307。此时，栅极金属302和源极金属307通过在栅极绝缘膜303、半导体层304和n⁺硅层306形成的孔接合，形成未图示的接触孔。

接着，如图18的(f)所示，通过使用第四光掩模对源极金属307进行图案化，形成未图示的Cs部的上部电极、源极电极307S和漏极电极307D、以及未图示的扫描线和驱动电源线。

另外，此时，通过使用第四光掩模对半导体层304和n⁺硅层306进行图案化，形成由半导体层304形成的半导体膜304a和由n⁺硅层306形成的杂质半导体膜306a、306b。

接着，如图18的(g)所示，利用气相沉积法形成导电性膜，使用第五光掩模进行图案化，由此形成像素电极308。

接着，如图18的(h)所示，在整面状地形成将上述源极电极307S、漏极电极307D、未图示的Cs部的上部电极和扫描线以及驱动电源线、和像素电极308覆盖的保护膜309后，使用第六光掩模，在该保护膜309形成使像素电极308露出的开口部309a。

在专利文献1中，此后，如图18的(i)所示，在上述保护膜309和像素电极308的上部整面状地涂敷聚酰亚胺等树脂后，使用第七光掩模形成网状的绝缘膜310，由此，形成由保护膜309和上述网状的绝缘膜310形成的分隔壁311，然后，在上述像素电极308上形成未图示的有机EL层，在该有机EL层上形成未图示的对置电极。进一步，在该对置电极上涂敷环氧树脂、丙烯酸树脂等热固性树脂、热塑性树脂、或者光固性树脂等，并使其固化而形成密封层。

这样，在专利文献1中，至在保护膜309形成开口部309a为止使用了6个光掩模。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本国公开专利公报“特开2010-282807号公报(2010年12月16日公开)”

发明内容

发明要解决的技术问题

像专利文献1那样，以往，为了制造EL显示面板中使用的EL基板，需要多个光掩模。