[发明专利]电致发光基板及其制造方法、电致发光显示面板、电致发光显示装置

权利要求书

1.一种电致发光基板，其特征在于：

在栅极绝缘膜上设置有晶体管的半导体层、电致发光元件的下部电极和电容器部的上部电极，

在所述半导体层、所述下部电极和所述上部电极的上层设置有保护层，

所述保护层具有使所述下部电极和所述上部电极露出的开口部，

所述半导体层为氧化物半导体层，

所述下部电极和所述上部电极为将在所述栅极绝缘膜上形成的氧化物半导体层还原而形成的氧化物半导体层的还原电极。

2.如权利要求1所述的电致发光基板，其特征在于：

所述晶体管的栅极电极具备透明导电层和金属层，

所述栅极电极的透明导电层和电容器部的下部电极由同一材料形成在同一平面上。

3.如权利要求2所述的电致发光基板，其特征在于：

在所述电容器部的上部电极上，隔着发光层设置有由与所述电致发光元件的上部电极相同的材料形成的电极。

4.如权利要求1所述的电致发光基板，其特征在于：

所述晶体管的栅极电极和所述电容器部的下部电极由在同一平面上由同一材料形成的金属层形成。

5.如权利要求1～4中任一项所述的电致发光基板，其特征在于：

所述电致发光元件的下部电极和与所述电致发光元件连接的晶体管的半导体层形成为一体。

6.如权利要求1～5中任一项所述的电致发光基板，其特征在于：

所述晶体管具有在所述半导体层上设置有源极电极和漏极电极的顶部接触构造，与所述电致发光元件连接的晶体管的源极电极和漏极电极中的一个电极，与所述电致发光元件的下部电极的上表面端部接触。

7.如权利要求1～5中任一项所述的电致发光基板，其特征在于：

所述晶体管具有在所述栅极绝缘膜上以覆盖源极电极和漏极电极的方式设置有所述半导体层的底部接触构造，所述电致发光元件的下部电极和与所述电致发光元件连接的晶体管的源极电极和漏极电极中的一个电极的侧面接触。

8.一种电致发光显示面板，其特征在于：

具备权利要求1～7中任一项所述的电致发光基板。

9.一种电致发光显示装置，其特征在于：

具备权利要求1～7中任一项所述的电致发光基板。

10.一种电致发光基板的制造方法，其特征在于，包括：

在栅极绝缘膜上形成氧化物半导体层的工序；

将所述氧化物半导体层图案化为与晶体管的半导体层、电致发光元件的下部电极和电容器部的上部电极对应的图案的工序；

在所述氧化物半导体层的图案的上层形成具有使与所述下部电极和所述上部电极对应的部分的图案露出的开口部的保护膜的工序；和

以所述保护膜作为掩模，将所述氧化物半导体层的图案中的、与所述电致发光元件的下部电极和所述电容器部的上部电极对应的部分的图案还原，形成由所述氧化物半导体层的还原电极形成的所述电致发光元件的下部电极和电容器部的上部电极的工序。

11.如权利要求10所述的电致发光基板的制造方法，其特征在于：

在所述栅极绝缘膜上形成氧化物半导体层的工序前，包括：

在基板上依次层叠透明导电层和金属层的工序；

在所述金属层上形成光致抗蚀剂，进行半色调曝光，在晶体管的栅极电极的形成区域和电容器部的下部电极的形成区域，形成晶体管的栅极电极的形成区域的厚度比电容器部的下部电极的形成区域的厚度大的光致抗蚀剂的图案后，进行灰化和蚀刻，由此，形成由所述透明导电层和金属电极层形成的栅极电极，并且，形成由所述透明导电层形成的、电容器部的下部电极的工序；和

在所述基板上，以覆盖所述栅极电极和所述电容器部的下部电极的方式形成栅极绝缘膜的工序。

12.如权利要求11所述的电致发光基板的制造方法，其特征在于，还包括：

在所述电致发光元件的下部电极和所述电容器部的上部电极上形成发光层的工序；和

在所述发光层上层叠透明导电膜，将该透明导电膜图案化，由此，作为所述电致发光元件的上部电极，形成隔着所述发光层与所述电致发光元件的下部电极相对的电极图案，并且形成隔着所述发光层与所述电容器部的上部电极相对的电极图案的工序。