[发明专利]具有节能读取架构的存储器阵列有效

专利信息
申请号: 201380054662.0 申请日: 2013-08-29
公开(公告)号: CN104756192B 公开(公告)日: 2017-10-13
发明(设计)人: 丹沢彻 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G11C16/02 分类号: G11C16/02
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 代理人: 路勇
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 节能 读取 架构 存储器 阵列
【权利要求书】:

1.一种存储器装置,其包括:

第一串存储器单元;

第二串存储器单元,所述第二串存储器单元经配置以在读取操作期间接收在所述第一串存储器单元中流动的电流的至少一部分;以及

共同节点,其耦合在所述第一串与所述第二串之间,所述共同节点包括共同源极,

其中不通过所述共同节点读出数据。

2.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述存储器装置经配置以在读取操作期间通过所述共同节点将所述第二串电耦合到所述第一串。

3.根据权利要求1所述的存储器装置,其进一步包括:

第一选择晶体管,其耦合到所述第一串;以及

第二选择晶体管,其耦合到所述第二串。

4.根据权利要求3所述的存储器装置,其进一步包括:

第三选择晶体管,其耦合在所述第一串与所述共同节点之间;以及

第四选择晶体管,其耦合在所述第二串与所述共同节点之间。

5.根据权利要求3所述的存储器装置,其进一步包括:

第一电流源;

第一数据线,其耦合到所述第一选择晶体管及所述第一电流源,其中所述第一选择晶体管经配置以将由所述第一电流源提供的电流选择性耦合到所述第一串存储器单元;

第二电流源;以及

第二数据线,其耦合到所述第二选择晶体管及所述第二电流源,其中所述第二选择晶体管经配置以将由所述第二电流源提供的电流选择性耦合到所述第二串存储器单元。

6.根据权利要求5所述的存储器装置,其中所述第一电流源包括耦合到所述第一数据线的第一电力启用元件,且其中所述第二电流源包括耦合到所述第二数据线的第二电力启用元件。

7.根据权利要求6所述的存储器装置,其中所述第一电力启用元件及所述第二电力启用元件经配置以通过相反极性的偏置电压激活。

8.根据权利要求5所述的存储器装置,其进一步包括第一数据启用元件及第二数据启用元件,其中第一电力启用元件通过所述第一数据启用元件耦合到所述第一数据线,且其中第二电力启用元件通过所述第二数据启用元件耦合到所述第二数据线。

9.根据权利要求5所述的存储器装置,其进一步包括:

第一感测电路,其耦合到所述第一数据线;以及

第二感测电路,其耦合到所述第二数据线。

10.根据权利要求9所述的存储器装置,其进一步包括第一数据启用元件及第二数据启用元件,其中所述第一感测电路通过所述第一数据启用元件耦合到所述第一数据线,且其中所述第二感测电路通过所述第二数据启用元件耦合到所述第二数据线。

11.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述第一串存储器单元及所述第二串存储器单元各自经配置以接收单独的电流。

12.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述第一串的所述存储器单元中的每一者在第一数目的层级中的相应一者上,且其中所述第二串的所述存储器单元中的每一者在第二数目的层级中的相应一者上。

13.根据权利要求12所述的存储器装置,其进一步包括:

第三串存储器单元;以及

第四串存储器单元,共同节点耦合在所述第三串存储器单元与所述第四串存储器单元之间,所述第四串存储器单元经配置以在读取操作期间接收在所述第三串存储器单元中流动的电流的至少一部分。

14.根据权利要求13所述的存储器装置,其中所述存储器装置经配置以在所述第一串及所述第二串的同时读取操作期间使所述第一串及所述第二串串联耦合到彼此,且其中所述存储器装置经配置以在所述第三串及所述第四串的同时读取操作期间使所述第三串及所述第四串串联耦合到彼此。

15.根据权利要求13所述的存储器装置,其中所述第一串及所述第三串相邻于彼此,且所述第二串及所述第四串相邻于彼此。

16.根据权利要求15所述的存储器装置,其中所述第三串的所述存储器单元中的每一者在所述第一数目的层级中的相应一者上,且其中所述第四串的所述存储器单元中的每一者在所述第二数目的层级中的相应一者上。

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