[发明专利]用于估计及校正偏移目标不准确度的方法

说明书

优先权的主张

本申请案主张埃兰埃米特(Eran Amit)等人在2012年9月5日申请且题为“用于估计及校正偏移目标不准确度的方法(METHOD FOR ESTIMATING AND CORRECTING MISREGISTRATION TARGET INACCURACY)”的共同拥有、同在申请中的美国临时专利申请案第61/696,963号的优先权权利，所述申请案的全部揭示内容被以引用的方式并入本文中

本申请案主张EranAmit等人在2012年9月5日申请且题为“用于估计及校正偏移目标不准确度的方法(METHOD FOR ESTIMATING AND CORRECTING MISREGISTRATION TARGET INACCURACY)”的共同拥有、同在申请中的美国临时专利申请案第61/697,159号的优先权权利，所述申请案的全部揭示内容被以引用的方式并入本文中。

本申请案主张Eran Amit等人在2013年2月13日申请且题为“用于估计及校正偏移目标层不准确度的方法(METHOD FOR ESTIMATING AND CORRECTING MISREGISTRATION TARGET LAYER INACCURACY)”的共同拥有、同在申请中的美国临时专利申请案第61/764,441号的优先权权利，所述申请案的全部揭示内容被以引用的方式并入本文中。

本申请案主张Eran Amit等人在2013年2月19日申请且题为“用于基于批量优化估计及校正偏移不准确度的方法(METHOD FOR ESTIMATING AND CORRECTING MISREGISTRATION INACCURACY BASED ON LOT OPTIMIZATION)”的共同拥有、同在申请中的美国临时专利申请案第61/766,320号的优先权权利，所述申请案的全部揭示内容被以引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明的方面涉及计量测量，且更明确地说，涉及用于确定覆盖测量中的目标的系统偏移误差的设备及方法。

背景技术

例如逻辑及存储器装置等半导体装置的制造通常包含大量处理步骤以形成各种特征及多个层。举例来说，可通过光刻过程来形成层。通过将图案从主光罩转印到布置于半导体衬底上的抗蚀剂来执行光刻。可在光刻处理步骤或任何其它处理步骤之间使用计量过程，以便监控半导体制造的准确度。举例来说，计量过程可测量晶圆的一或多个特性，例如，在过程步骤期间形成于晶圆上的特征的尺寸(例如，线宽度、厚度等)。覆盖误差为具有极端重要性的特性的实例。覆盖测量通常指定第一图案化层关于安置于其上方或下方的第二图案化层对准的准确程度或第一图案关于安置于同一层上的第二图案对准的准确程度。通常通过具有形成于半导体衬底的一或多个层上的结构的覆盖目标来确定覆盖误差。如果所述两个层或图案经恰当地形成，则一个层或图案上的结构趋向于与另一层或图案上的结构对准。如果所述两个层或图案未恰当地形成，则一个层或图案上的结构趋向于相对于另一层或图案上的结构而偏置或不对准。

可将覆盖误差分为两个分量：(1)随机误差；及(2)系统误差。可经由测量足够大的样本大小来使例如精确度等随机误差达到平均数。然而，不能经由使用平均化来移除系统误差，这是因为系统误差为目标、衬底自身、测量工具或其任何组合中的固有偏差的结果。举例来说，目标可具有影响覆盖误差的准确度的不对称形状。不对称形状对覆盖误差所具有的影响的详细描述提供于由Daniel Kandel等人在2012年5月7日申请的题为用于提供质量量度以改进工艺控制的方法及系统(METHOD AND SYSTEM FOR PROVIDING A QUALITY METRIC FOR IMPROVED PROCESS CONTROL)的共同拥有的美国专利申请案第13/508,495号中，所述申请案全部并入本文中。

结果，需要提供一种适合于减轻系统覆盖误差的影响的系统及方法。正是在此情况下，出现本发明的实施例。

发明内容